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SK20GH123

更新时间： 2024-02-14 10:54:54

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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IGBT Module

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SK20GH123 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	CASE T5, SEMITOP 2, 8 PIN
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.82
Is Samacsys：	N	其他特性：	UL RECOGNIZED
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	23 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X8
JESD-609代码：	e3/e4	元件数量：	4
端子数量：	8	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN/SILVER	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	320 ns	标称接通时间 (ton)：	80 ns
VCEsat-Max：	3 V	Base Number Matches：	1

SK20GH123 数据手册

SK20GH123

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SK20GH123

Module

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Preliminary Data

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Features

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Characteristics

Symbol Conditions

IGBT

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Typical Applications

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30-10-2006 DIL

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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SK20H45	TSC	获取价格	Schottky Barrier Rectifier
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