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SK20GD123

更新时间： 2024-02-05 21:08:08
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
4页 535K
描述
IGBT Module

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SK20GD123 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X11
针数：11Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.81Is Samacsys：N
其他特性：UL RECOGNIZED外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：23 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE门极-发射极最大电压：20 V
JESD-30 代码：R-XUFM-X11JESD-609代码：e2
元件数量：6端子数量：11
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：320 ns
标称接通时间 (ton)：80 nsVCEsat-Max：3 V
Base Number Matches：1

SK20GD123 数据手册

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SK 20 GD 123  
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Characteristics  
Symbol Conditions  
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GD  
1
19-10-2005 RAM  
© by SEMIKRON  
1234

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