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SK20GD066ET

更新时间： 2024-01-08 12:57:41
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
5页 784K
描述
IGBT Module

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SK20GD066ET 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PUFM-X15针数：19
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.73外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：30 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：COMPLEX门极-发射极最大电压：20 V
JESD-30 代码：R-PUFM-X15元件数量：6
端子数量：15最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：206 ns
标称接通时间 (ton)：31 nsVCEsat-Max：1.85 V
Base Number Matches：1

SK20GD066ET 数据手册

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SK20GD066ET  
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GD-ET  
1
03-06-2009 DIL  
© by SEMIKRON  
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