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SK20GD065

更新时间： 2024-02-25 07:42:52
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 265K
描述
IGBT Module

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SK20GD065 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-P19
针数：19Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.82Is Samacsys：N
其他特性：UL RECOGNIZED外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：26 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：COMPLEXJESD-30 代码：R-XUFM-P19
JESD-609代码：e2元件数量：6
端子数量：19最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
参考标准：IEC-60747-1表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)端子形式：PIN/PEG
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SK20GD065 数据手册

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SK 20 GD 065  
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1
04-07-2006 DIL  
© by SEMIKRON  
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