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SK20GH065

更新时间： 2024-09-28 02:51:51
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
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4页 687K
描述
IGBT Module

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SK20GH065 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-P8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.82Is Samacsys：N
其他特性：UL RECOGNIZED外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：24 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODEJESD-30 代码：R-XUFM-P8
元件数量：4端子数量：8
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：PIN/PEG
端子位置：UPPER晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：190 ns
标称接通时间 (ton)：49 nsBase Number Matches：1

SK20GH065 数据手册

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SK 20 GH 065  
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IGBT Module  
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SK 20 GH 065  
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Characteristics  
Symbol Conditions  
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28-02-2006 DIL  
© by SEMIKRON  
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