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SIF10N70F(TO-220&220FP&220FPL&262&263)

更新时间： 2024-11-14 17:01:23

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描述
导通电阻低开关速度快输入阻抗高符合RoHS规范

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深圳深爱半导体股份有限公司

产品规格书

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.

Product Specification

N-沟道功率 MOS 管/ N-CHANNEL POWER MOSFET

SIF10N70F

●特点：热阻低

开关速度快

输入阻抗高

符合RoHS规范

●FEATURES：■LOW THERMAL RESISTANCE ■FAST SWITCHING ■HIGH INPUT RESISTANCE

■RoHS COMPLIANT

●应用：电子镇流器

电子变压器

开关电源

●APPLICATION: ■ELECTRONIC BALLAST ■ELECTRONIC TRANSFORMER ■SWITCH MODE POWER SUPPLY

●最大额定值（TC=25C）

●Absolute Maximum Ratings（Tc=25C）

TO-220/220FP(L)/262/263

单位

UNIT

参数

PARAMETER

符号

SYMBOL

额定值

VALUE

V_DS=700V

R_DS(ON)=0.85Ω

I_D=10A

漏-源电压

Drain-source Voltage

V_DS

V_GS

700

栅-源电压

gate-source Voltage

±20

漏极电流

Continuous Drain Current

TC=25℃

I_D

漏极电流

Continuous Drain Current

TC=100℃

I_D

最大脉冲电流

Drain Current －Pulsed

I_DM

①

TO-220:156

耗散功率

Power Dissipation

TO-220FP(L):50

TO-262/263:126

P_tot

最高结温

Junction Temperature

存储温度

150

-55-150

370

C

T_STG

E_AS

Storage Temperature

单脉冲雪崩能量

Single Pulse Avalanche Energy②

●电特性（Tc=25C）

●Electronic Characteristics（Tc=25C）

参数

PARAMETER

符号

SYMBOL

测试条件

TEST CONDITION

最小值

MIN

典型值

TYP

最大值

MAX

单位

UNIT

漏-源击穿电压

Drain-source Breakdown Voltage

BV_DSS

V_GS=0V, I_D=250A

700

击穿电压温度系数

Breakdown Voltage Temperature

Coefficient

ΔBV_DSS/

ΔTj

I_D=250uA, Referenced to

0.65

V/C

25C

栅极开启电压

Gate Threshold Voltage

V_GS(TH)

V_GS=V_DS,I_D=250A

2.0

4.0

A

V_DS=700V,

V_GS=0V, Tj=25C

漏-源漏电流

Drain-source Leakage Current

I_DSS

V_DS=560V,

V_GS=0V, Tj=125C

跨导

Forward Transconductance

V_DS=15V, I_D=5.0A

③

gfs

12.8

●订单信息/ORDERING INFORMATION:

包装形式/PACKING

订货编码/ORDERING CODE

普通塑封料

Normal Package Material

SIF10N70F TO-220-TU

无卤塑封料

Halogen Free

SIF10N70F TO-220-TU-HF

TO-220 条管装/TUBE PACKING

TO-220FP(L) 条管装/TUBE PACKING

SIF10N70F TO-220FP(L)-TU

SIF10N70F TO-220FP(L)-TU-HF

SIF10N70F TO-262-TU 或

SIF10N70F TO-263-TU

SIF10N70F TO-262-TU-HF 或

SIF10N70FTO-263-TU-HF

TO-262 或 263 条管装/TUBE PACKING

TO-263 编带装/TAPE & REEL PACKING

SIF10N70F TO-263-TR

SIF10N70F TO-263-TR-HF

Si semiconductors 2018.12

12 3 4 5 6 7...10

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