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SIF11N060(SOP-8)

更新时间: 2024-11-14 17:01:35
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深爱 - SISEMIC 开关
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6页 643K
描述
导通电阻低 开关速度快 输入阻抗高 符合RoHS规范

SIF11N060(SOP-8) 数据手册

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深圳深爱半导体股份有限公司  
产品规格书  
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.  
Product Specification  
N-沟道功率 MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET  
SIF11N060  
●特点:热阻低 导通电阻低 栅极电荷低,开关速度快 输入阻抗高 符合RoHS规范  
FEATURESLOW THERMAL RESISTANCE LOW RDS(ON) TO MINIMIZE CONDUCTIVE LOSS LOW GATE  
CHARGE FOR FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMPLIANT  
●应用:低压高频逆变电路 同步整流 开关  
APPLICATION: LOW VOLTAGE,HIGH FREQUENCY INVERTERS  
PRIMARY SWITCH  
SYNCHRONOUS RECTIFIER  
●最大额定值(TC=25C)  
Absolute Maximum RatingsTc=25C)  
SOP-8  
参数  
PARAMETER  
符号  
额定值  
单位  
UNIT  
SYMBOL VALUE  
-源电压  
Drain-source Voltage  
VDS  
VGS  
60  
V
-源电压  
gate-source Voltage  
±20  
V
A
漏极电流  
Continuous Drain Current  
TC=25℃  
ID  
11*  
耗散功率  
Total Power Dissipation   
Ptot  
Tj  
2.5*  
150  
W
C  
C  
最高结温  
Junction Temperature  
存储温度  
Storage Temperature  
TSTG  
-55-175  
单脉冲雪崩能量  
Single Pulse Avalanche Energy  
EAS  
95  
mJ  
●电特性(Tc=25C)  
Electronic CharacteristicsTc=25C)  
参数  
PARAMETER  
符号  
SYMBOL  
测试条件  
TEST CONDITION  
最小值  
MIN  
典型值  
TYP  
最大值  
MAX  
单位  
UNIT  
-源击穿电压  
Drain-source Breakdown Voltage  
BVDSS  
VGS(TH)  
VGS=0V, ID=250A  
60  
V
V
栅极开启电压  
Gate Threshold Voltage  
VGS=VDS, ID=250A  
1.0  
3.0  
1
VDS =60V,  
VGS =0V, Tj=25C  
A  
-源漏电流  
Drain-source Leakage Current  
IDSS  
VDS =60V,  
VGS =0V, Tj=125C  
10  
A  
栅极漏电流  
Gate-body Leakage  
Current  
IGSS  
VGS =±20V ,VDS =0V  
±100  
nA  
-源导通电阻  
Static Drain-source On  
Resistance  
VGS =10V, ID=9A  
VGS =4.5V, ID=6A  
12.6  
15.5  
15  
18  
RDS(ON)  
mΩ  
S
跨导  
Forwad Transconductance  
gFS  
VDS =5V, ID=9A  
19  
●订单信息/ORDERING INFORMATION:  
包装形式/PACKING  
订货编码/ORDERING CODE  
普通塑封料/ Normal Package Material  
SIF11N060 SOP-8-TU  
无卤塑封料/Halogen Free  
SIF11N060 SOP-8-TU-HF  
SIF11N060 SOP-8-TR-HF  
SOP-8 条管/TUBE PACKING  
SOP-8 编带/TAPE & REEL PACKING  
SIF11N060 SOP-8-TR  
1
Si semiconductors 2017.7  

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