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SIF120N100(DFN5X6)

更新时间: 2024-11-14 17:01:11
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深爱 - SISEMIC 开关
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描述
导通电阻低 开关速度快 输入阻抗高 符合RoHS规范

SIF120N100(DFN5X6) 数据手册

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深圳深爱半导体股份有限公司  
产品规格书  
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.  
Product Specification  
N-沟道功率 MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET  
SIF120N100  
●特点:热阻低 导通电阻低 栅极电荷低,开关速度快 输入阻抗高 符合RoHS规范  
FEATURESLOW THERMAL RESISTANCE LOW RDS(ON) TO MINIMIZE CONDUCTIVE LOSS LOW GATE  
CHARGE FOR FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMPLIANT  
●应用:低压高频逆变电路 同步整流 开关应用  
APPLICATION: LOW VOLTAGE,HIGH FREQUENCY INVERTERS  
SWITCH APPLICATIONS  
SYNCHRONOUS RECTIFICATION  
●最大额定值(TC=25C)  
Absolute Maximum RatingsTc=25C)  
DFN5X6  
参数  
PARAMETER  
符号  
SYMBOL  
额定值  
VALUE  
单位  
UNIT  
-源电压  
Drain-source Voltage  
VDS  
VGS  
100  
V
V
-源电压  
gate-source Voltage  
±20  
漏极电流  
Continuous Drain Current  
TC=25  
ID  
120  
A
耗散功率  
Total Power Dissipation  
Ptot  
Tj  
70  
150  
W
C  
C  
mJ  
最高结温  
Junction Temperature  
存储温度  
Storage Temperature  
TSTG  
EAS  
-55-175  
650  
单脉冲雪崩能量  
Single Pulse Avalanche Energy ②  
●电特性(Tc=25C)  
Electronic CharacteristicsTc=25C)  
参数  
PARAMETER  
符号  
SYMBOL  
测试条件  
最小值  
MIN  
典型值  
TYP  
最大值  
MAX  
单位  
UNIT  
TEST CONDITION  
VGS=0V, ID=250A  
VGS=VDS, ID=250A③  
-源击穿电压  
Drain-source Breakdown Voltage  
BVDSS  
VGS(TH)  
IDSS  
100  
1.6  
V
V
栅极开启电压  
Gate Threshold Voltage  
2.0  
2.4  
1
-源漏电流  
Drain-source Leakage Current  
VDS =100V,VGS =0V  
VGS =±20V  
A  
栅极漏电流  
Gate-body Leakage  
Current (VDS = 0)  
IGSS  
±100  
nA  
-源导通电阻  
Static Drain-source On  
Resistance  
VGS =4.5V, ID=20A③  
VGS =10V, ID=50A③  
7.5  
5.4  
8
6
RDS(ON)  
mΩ  
S
跨导  
Forwad Transconductance  
gFS  
VDS =10V, ID=20A③  
30  
●订单信息/ORDERING INFORMATION:  
包装形式/PACKING  
订货编码/ORDERING CODE  
SIF120N100 DFN5X6-8L -TR-HF  
DFN5X6-8L 编带/TAPE & REEL PACKING  
1
Si semiconductors 2016.9  

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