深圳深爱半导体股份有限公司
产品规格书
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
Product Specification
N-沟道功率 MOS 管/ N-CHANNEL POWER MOSFET
SIF16N65C
●特点:热阻低
开关速度快
输入阻抗高
符合RoHS规范
●FEATURES:■LOW THERMAL RESISTANCE ■FAST SWITCHING ■HIGH INPUT RESISTANCE
■RoHS COMPLIANT
●应用:电子镇流器
电子变压器
开关电源
●APPLICATION: ■ELECTRONIC BALLAST ■ELECTRONIC TRANSFORMER ■SWITCH MODE POWER SUPPLY
●最大额定值(TC=25C)
●Absolute Maximum Ratings(Tc=25C)
TO-220FP(L)
单位
参数
PARAMETER
符号
额定值
UNIT
SYMBOL VALUE
VDS=650V
RDS(ON)=0.36Ω
ID=16A
漏-源电压
Drain-source Voltage
VDS
VGS
650
V
V
栅-源电压
gate-source Voltage
±30
漏极电流
Continuous Drain Current
TC=25℃
ID
16*
A
漏极电流
Continuous Drain Current
TC=100℃
ID
10.2*
A
A
最大脉冲电流
Drain Current -Pulsed
IDM
PD
64*
65
①
耗散功率
Power Dissipation
W
C
C
mJ
最高结温
Junction Temperature
Tj
150
存储温度
Storage Temperature
TSTG
EAS
-55-150
900
单脉冲雪崩能量
Single Pulse Avalanche Energy②
*漏极电流由最高结温限制
*Drain current limited by maximum junction temperature
●电特性(Tc=25C)
●Electronic Characteristics(Tc=25C)
参数
符号
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN
TYP
MAX
UNIT
漏-源击穿电压
Drain-source Breakdown Voltage
击穿电压温度系数
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
栅极开启电压
BVDSS
VGS=0V, ID=250A
650
V
ΔBVDSS/
ΔTj
ID=250uA, Referenced to
0.6
V/C
25C
VGS(TH)
VGS=VDS, ID=250A
3.0
5.0
1
V
A
A
S
Gate Threshold Voltage
VDS =650V,
VGS =0V, Tj=25C
漏-源漏电流
Drain-source Leakage Current
IDSS
VDS =480V,
VGS =0V, Tj=125C
10
跨导
Forward Transconductance
VDS =40V, ID=8.0A
③
gfs
8
二极管电压变动率
Reverse Diode dv/dt
I
SD≤16A,Tj=25C
dv/dt
10
V/ns
●订单信息/ORDERING INFORMATION:
订货编码/ORDERING CODE
包装形式/PACKING
普通塑封料/ Normal Package Material
无卤塑封料/Halogen Free
TO-220FP(L) 条管装/TUBE PACKING
SIF16N65C TO-220FP(L)-TU
SIF16N65C TO-220FP(L)-TU-HF
1
Si semiconductors 2016.12