深圳深爱半导体股份有限公司
产品规格书
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
Product Specification
N-沟道功率 MOS 管/ N-CHANNEL POWER MOSFET
SIF1N60F
●特点:导通电阻低
开关速度快
输入阻抗高
符合RoHS规范
●FEATURES:■LOW ON-RESISTANCE ■FAST SWITCHING ■HIGH INPUT RESISTANCE ■RoHS COMPLIANT
●应用:电子镇流器
电子变压器
开关电源
●APPLICATION: ■ELECTRONIC BALLAST ■ELECTRONIC TRANSFORMER ■SWITCH MODE POWER SUPPLY
●最大额定值(TC=25C)
●Absolute Maximum Ratings(Tc=25C)
TO-92/251/251S/252/252T
单位
参数
PARAMETER
符号
SYMBOL
额定值
VALUE
UNIT
VDS=600V
RDS(ON)=7.5Ω
ID=1.0A
漏-源电压
Drain-source Voltage
VDS
VGS
600
V
V
栅-源电压
gate-source Voltage
±30
漏极电流
Continuous Drain Current
TC=25℃
ID
1.0*
0.6*
A
漏极电流
Continuous Drain Current
TC=100℃
ID
A
A
最大脉冲电流
Drain Current -Pulsed
IDM
PD
4.0*
①
TO-92:3
耗散功率
Power Dissipation (TL=25C)
W
TO-251/251S/252(T):28
150
最高结温
Junction Temperature
Tj
C
C
存储温度
Storage Temperature
单脉冲雪崩能量
Single Pulse Avalanche Energy
②
TSTG
EAS
-55-150
15
mJ
*漏极电流由最高结温限制
*Drain current limited by maximum junction temperature
●电特性(Tc=25C)
●Electronic Characteristics(Tc=25C)
参数
PARAMETER
符号
SYMBOL
测试条件
TEST CONDITION
最小值 典型值 最大值
TYP
单位
UNIT
MIN
MAX
漏-源击穿电压
Drain-source Breakdown Voltage
BVDSS
VGS=0V, ID=250A
600
V
击穿电压温度系数
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
ΔBVDSS/
ΔTj
ID=250uA, Referenced to
0.6
V/C
25C
栅极开启电压
Gate Threshold Voltage
VGS(TH)
VGS=VDS, ID=250A
2.0
4.0
1
V
VDS =600V,
VGS =0V, Tj=25C
VDS =480V,
A
A
S
漏-源漏电流
Drain-source Leakage Current
IDSS
gfs
100
VGS =0V, Tj=125C
跨导
Forward Transconductance
VDS =40V, ID=0.5A
③
0.9
●订单信息/ORDERING INFORMATION:
包装形式/PACKING
订货编码/ORDERING CODE
普通塑封料/ Nomal Package
Material
无卤塑封料/Halogen Free
TO-92 普通袋装/NORMAL PACKING
TO-92 盒式编带/AMMOPACK
SIF1N60F TO-92
SIF1N60F TO-92-HF
SIF1N60F TO-92-AP-HF
SIF1N60F TO-92-AP
TO-251 或 251S 普通袋装/NORMAL PACKING
SIF1N60F TO-251 或 TO-251S
SIF1N60F TO-251 或 TO-251S-HF
TO-252(T)或 251 或 251S 条管装
TUBE PACKING
TO-252(T) 编带装/TAPE & REEL PACKING
SIF1N60F TO-251-TU 或
TO-251S-TU 或 TO-252(T)-TU
SIF1N60F TO-252(T)-TR
SIF1N60F TO-251-TU-HF 或
TO-251S-TU-HF 或 TO-252(T)-TU-HF
SIF1N60F TO-252(T)-TR-HF
Si semiconductors 2018.01
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