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SIF18N65F(TO-220&220FP&220FPL)

更新时间： 2024-11-14 17:01:03
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深爱 - SISEMIC 开关
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描述
导通电阻低 开关速度快 输入阻抗高 符合RoHS规范

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SIF18N65F(TO-220&220FP&220FPL) 数据手册

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深圳深爱半导体股份有限公司  
产品规格书  
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.  
Product Specification  
N-沟道功率 MOS 管/ N-CHANNEL POWER MOSFET  
SIF18N65F  
●特点：热阻低  
开关速度快  
输入阻抗高  
符合RoHS规范  
●FEATURES：■LOW THERMAL RESISTANCE ■FAST SWITCHING ■HIGH INPUT RESISTANCE  
■RoHS COMPLIANT  
●应用：电子镇流器  
电子变压器  
开关电源  
●APPLICATION: ■ELECTRONIC BALLAST ■ELECTRONIC TRANSFORMER ■SWITCH MODE POWER SUPPLY  
●最大额定值（TC=25C）  
●Absolute Maximum Ratings（Tc=25C）  
TO-220/220FP(L)/262/263  
单位  
参数  
PARAMETER  
符号  
SYMBOL  
额定值  
VALUE  
UNIT  
VDS=650V  
RDS(ON)=0.39Ω  
ID=18A  
漏-源电压  
Drain-source Voltage  
VDS  
VGS  
650  
V
V
栅-源电压  
gate-source Voltage  
±30  
漏极电流  
Continuous Drain Current  
TC=25℃  
A
ID  
18  
11  
漏极电流  
Continuous Drain Current  
TC=100℃  
ID  
A
A
最大脉冲电流  
Drain Current －Pulsed  
IDM  
Ptot  
72  
①
TO-220:225  
耗散功率  
Power Dissipation  
W
TO-220FP(L):65  
最高结温  
Junction Temperature  
存储温度  
Tj  
-55~150  
C  
C  
mJ  
TSTG  
EAS  
-55~150  
550  
Storage Temperature  
单脉冲雪崩能量  
Single Pulse Avalanche Energy②  
●电特性（Tc=25C）  
●Electronic Characteristics（Tc=25C）  
参数  
PARAMETER  
符号  
SYMBOL  
测试条件  
TEST CONDITION  
最小值  
MIN  
典型值  
TYP  
最大值  
MAX  
单位  
UNIT  
漏-源击穿电压  
Drain-source Breakdown Voltage  
BVDSS  
VGS=0V, ID=250A  
650  
V
击穿电压温度系数  
Breakdown Voltage Temperature  
Coefficient  
ΔBVDSS/  
ΔTj  
ID=250uA, Referenced to  
0.65  
V/C  
25C  
栅极开启电压  
Gate Threshold Voltage  
VGS(TH)  
VGS=VDS, ID=250A  
3.0  
5.0  
1
V
VDS =650V,  
VGS =0V, Tj=25C  
A  
漏-源漏电流  
Drain-source Leakage Current  
IDSS  
gfs  
VDS =520V,  
VGS =0V, Tj=125C  
10  
A  
跨导  
Forward Transconductance  
VDS =15V, ID=9.0A  
③
15  
S
●订单信息/ORDERING INFORMATION:  
订货编码/ORDERING CODE  
包装形式/PACKING  
普通塑封料/ Normal Package Material  
无卤塑封料/Halogen Free  
SIF18N65F TO-220-TU-HF  
TO-220 条管装/TUBE PACKING  
SIF18N65F TO-220-TU  
TO-220FP(L) 条管装/TUBE PACKING  
SIF18N65F TO-220FP(L)-TU  
SIF18N65F TO-220FP(L)-TU-HF  
Si semiconductors 2019.01  
1
1234567

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