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SIF24N50F(TO-220FP)

更新时间： 2024-11-14 17:01:07

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深爱 - SISEMIC		开关
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描述
导通电阻低开关速度快输入阻抗高符合RoHS规范

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深圳深爱半导体股份有限公司

产品规格书

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.

Product Specification

N-沟道功率 MOS 管/ N-CHANNEL POWER MOSFET

SIF24N50F

●特点：导通电阻低

开关速度快

输入阻抗高

符合RoHS规范

●FEATURES：■LOW ON-RESISTANCE ■FAST SWITCHING ■HIGH INPUT RESISTANCE ■RoHS COMPLIANT

●应用：电子镇流器

电子变压器

开关电源

●APPLICATION: ■ELECTRONIC BALLAST■ELECTRONIC TRANSFORMER■SWITCH MODE POWER SUPPLY

●最大额定值（Tc=25C）

●Absolute Maximum Ratings（Tc=25C）

TO-220FP（L）

参数

PARAMETER

符号

额定值

单位

UNIT

SYMBOL VALUE

V_DS=500V

R_DS(ON)=0.2Ω

I_D=24A

漏-源电压

Drain-source Voltage

V_DS

V_GS

500

栅-源电压

gate-source Voltage

±30

漏极电流

Continuous Drain Current

TC=25℃

I_D

24.0

漏极电流

Continuous Drain Current

TC=100℃

I_D

最大脉冲电流

Drain Current －Pulsed

I_DM

P_tot

①

耗散功率

Power Dissipation

C

最高结温

Junction Temperature

150

存储温度

Storage Temperature

T_STG

-55-150

单脉冲雪崩能量

Single Pulse Avalanche Energy

②

E_AS

1100

●电特性（Tc=25C）

●Electronic Characteristics（Tc=25C）

参数

PARAMETER

符号

SYMBOL

测试条件

TEST CONDITION

最小值

MIN

典型值

TYP

最大值

MAX

单位

UNIT

漏-源击穿电压

Drain-source Breakdown Voltage

BV_DSS

V_GS=0V, I_D=250A

500

击穿电压温度系数

Breakdown Voltage Temperature

Coefficient

ΔBV_DSS/

ΔTj

I_D=250uA, Referenced to

0.6

V/C

25C

栅极开启电压

Gate Threshold Voltage

V_GS(TH)

V_GS=V_DS,I_D=250A

3.5

4.4

V_DS=500V,

V_GS=0V, Tj=25C

V_DS=400V,

A

漏-源漏电流

Drain-source Leakage Current

I_DSS

V_GS=0V, Tj=125C

跨导

Forward Transconductance

V_DS=40V, I_D=12.0A

③

gfs

● 订单信息/ORDERING INFORMATION:

订货编码/ORDERING CODE

包装形式/PACKING

普通塑封料/ Normal Package Material

SIF24N50F TO-220FP（L）-TU

无卤塑封料/Halogen Free

TO-220FP（L）条管装/TUBE PACKING

SIF24N50F TO-220FP（L）-TU-HF

Si semiconductors 2018.06

12 3 4

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