Datasheet > SIF24N040(SOP8)

SIF24N040(SOP8)

更新时间： 2024-11-14 17:01:19

品牌	Logo	应用领域
深爱 - SISEMIC		开关
页数	文件大小	规格书
5页	540K
描述
导通电阻低开关速度快输入阻抗高符合RoHS规范

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SIF24N040(SOP8) 数据手册

深圳深爱半导体股份有限公司

产品规格书

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.

Product Specification

N-沟道功率 MOS 管/ N-CHANNEL POWER MOSFET

SIF24N040

●特点：热阻低导通电阻低栅极电荷低，开关速度快输入阻抗高符合RoHS规范

●FEATURES：■LOW THERMAL RESISTANCE ■LOW R_DS(ON)TO MINIMIZE CONDUCTIVE LOSS ■LOW GATE

CHARGE FOR FAST SWITCHING ■HIGH INPUT RESISTANCE ■RoHS COMPLIANT

●应用：低压高频逆变电路同步整流开关应用

●APPLICATION: ■LOW VOLTAGE,HIGH FREQUENCY INVERTERS

■SWITCH APPLICATIONS

■SYNCHRONOUS RECTIFICATION

●最大额定值（TC=25C）

●Absolute Maximum Ratings（Tc=25C）

SOP8

V_DS=40V

参数

PARAMETER

符号

SYMBOL

额定值

VALUE

单位

UNIT

R_DS(ON)=4.8mΩ

I_D=24A

漏-源电压

Drain-source Voltage

V_DS

V_GS

栅-源电压

gate-source Voltage

±20

漏极电流

Continuous Drain Current

TC=25℃

I_D

耗散功率

Total Power Dissipation

P_tot

3.6

150

C

最高结温

Junction Temperature

存储温度

Storage Temperature

T_STG

E_AS

-55-175

380

单脉冲雪崩能量

Single Pulse Avalanche Energy ①

●电特性（Tc=25C）

●Electronic Characteristics（Tc=25C）

参数

PARAMETER

符号

SYMBOL

测试条件

最小值

MIN

典型值

TYP

最大值

MAX

单位

UNIT

TEST CONDITION

V_GS=0V, I_D=250A

V_GS=V_DS,I_D=250A②

漏-源击穿电压

Drain-source Breakdown Voltage

BV_DSS

V_GS(TH)

I_DSS

栅极开启电压

Gate Threshold Voltage

1.0

1.8

2.5

漏-源漏电流

Drain-source Leakage Current

V_DS=40V,V_GS=0V

V_GS=±20V

A

栅极漏电流

Gate-body Leakage

Current (V_DS= 0)

I_GSS

±100

漏-源导通电阻

Static Drain-source On

Resistance

V_GS=10V, I_D=20A②

V_GS=4.5V, I_D=10A②

4.8

6.5

6.0

8.0

R_DS(ON)

mΩ

跨导

Forwad Transconductance

g_FS

V_DS=10V, I_D=10A②

●订单信息/ORDERING INFORMATION:

订货编码/ORDERING CODE

包装形式/PACKING

普通塑封料/ Normal Package Material

无卤塑封料/Halogen Free

SIF24N040 SOP8-TU

SIF24N040 SOP8-TR

SIF24N040 SOP8-TU-HF

SIF24N040 SOP8-TR-HF

SOP8 条管装/TUBE PACKING

SOP8 编带装/TAPE & REEL PACKING

Si semiconductors 2018.03

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与SIF24N040(SOP8)相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SIF24N20(TO-251T&252T)	SISEMIC	获取价格	导通电阻低开关速度快输入阻抗高符合RoHS规范
SIF24N50C(TO-220FP)	SISEMIC	获取价格	导通电阻低开关速度快输入阻抗高符合RoHS规范
SIF24N50C(TO-3P)	SISEMIC	获取价格	导通电阻低开关速度快输入阻抗高符合RoHS规范
SIF24N50F(TO-220FP)	SISEMIC	获取价格	导通电阻低开关速度快输入阻抗高符合RoHS规范
SIF24N50F(TO-3P)	SISEMIC	获取价格	导通电阻低开关速度快输入阻抗高符合RoHS规范
SIF25N030 (DFN33)	SISEMIC	获取价格	导通电阻低开关速度快输入阻抗高符合RoHS规范
SIF25N060(TO-251T&251S&252&252T)	SISEMIC	获取价格	导通电阻低开关速度快输入阻抗高符合RoHS规范
SIF26N10A(TO-251&252)	SISEMIC	获取价格	导通电阻低开关速度快输入阻抗高符合RoHS规范
SIF26N50F(TO-3P)	SISEMIC	获取价格	导通电阻低开关速度快输入阻抗高符合RoHS规范
SIF2N100(SOT23)	SISEMIC	获取价格	导通电阻低开关速度快输入阻抗高符合RoHS规范

与SIF24N040(SOP8)相关文章

国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

26
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

10
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
2024-11-14

11
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

32

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SIF24N040(SOP8)

SIF24N040(SOP8) 数据手册

与SIF24N040(SOP8)相关器件

与SIF24N040(SOP8)相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SIF24N040(SOP8)

SIF24N040(SOP8) 数据手册

与SIF24N040(SOP8)相关器件

与SIF24N040(SOP8)相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？