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SIF16N65C(TO-220FP&220FPL)

更新时间： 2024-04-09 19:00:52

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描述
导通电阻低开关速度快输入阻抗高符合RoHS规范

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SIF16N65C(TO-220FP&220FPL) 数据手册

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深圳深爱半导体股份有限公司

产品规格书

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.

Product Specification

N-沟道功率 MOS 管/ N-CHANNEL POWER MOSFET

SIF16N65C

参数

PARAMETER

符号

SYMBOL

测试条件

TEST CONDITION

最小值典型值最大值

TYP

单位

UNIT

MIN

MAX

栅极漏电流

Gate-body Leakage

Current (V_DS= 0)

I_GSS

V_GS=±30V

±100

漏-源导通电阻

Static Drain-source On Resistance

V_GS=10V, I_D=8.0A

③

R_DS(ON)

0.36

0.42

输入电容

Input Capacitance

输出电容

Output Capacitance

反向传输电容

Ciss

Coss

2500

400

V_GS= 0V, V_DS= 25V

F = 1.0MHZ

Crss

Reverse transfer Capacitance

关断延迟

Td(off)

Td(on)

110

Turn -Off Delay Time

开启延迟时间

Turn-on delay time

V_DD=300V, I_D=16.0A

R_G=25Ω

③

开启上升时间

Rise time

190

100

关断下降时间

Fall time

栅极电荷

Total Gate Charge

栅源电荷

Qgs

Qg(th)

Qgd

I_S

I_D=18.0A, V_DS= 400V

Gate-to-Source Charge

栅极开启电荷量

Gate charge at threshold

栅漏电荷

V_GS= 10V

③

3.1

Gate-to-Drain Charge

二极管正向电流

Continuous Diode Forward Current

16.0

1.4

二极管正向压降

Diode Forward Voltage

反向恢复时间

Reverse Recovery Time

反向恢复电荷

Tj=25°C, Is=16.0A

V_SD

trr

V_GS=0V

③

550

5.5

Tj=25°C, If=16.0A

di/dt=100A/μs

③

Qrr

R_G

Reverse Recovery Charge

输入阻抗

Gate resistance

●热特性

●Thermal Characteristics

最大值

MAX

参数

PARAMETER

符号

SYMBOL

单位

UNIT

TO-220FP(L)

热阻结-壳

Thermal Resistance Junction-case

Rth_JC

Rth_JA

1.92

℃/W

热阻结-环境

Thermal Resistance Junction-ambient

62.5

注释(Notes):

① 脉冲宽度：以最高节温为限制

Repetitive rating: Pulse width limited by maximum junction temperature

② Starting Tj=25^oC, V_DD=50V, L=5mH, R_G=25Ω, I_AS=16A

③ 脉冲测试：脉冲宽度≤ 300μs ，占空比≤ 2 ％

Pulse Test : Pulse width ≤ 300μs, Duty cycle ≤ 2%

Si semiconductors 2016.12

123 4 5

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