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SIF120N040B(TO-220&220FP&262&263)

更新时间： 2024-09-26 17:02:11

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描述
导通电阻低开关速度快输入阻抗高符合RoHS规范

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SIF120N040B(TO-220&220FP&262&263) 数据手册

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深圳深爱半导体股份有限公司

产品规格书

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.

Product Specification

N-沟道功率 MOS 管/ N-CHANNEL POWER MOSFET

SIF120N040B

●特点：热阻低导通电阻低栅极电荷低，开关速度快输入阻抗高符合RoHS规范

●FEATURES：■LOW THERMAL RESISTANCE ■LOW R_DS(ON)TO MINIMIZE CONDUCTIVE LOSS ■LOW GATE

CHARGE FOR FAST SWITCHING ■HIGH INPUT RESISTANCE ■RoHS COMPLIANT

●应用：低压高频逆变电路同步整流开关应用

●APPLICATION: ■LOW VOLTAGE,HIGH FREQUENCY INVERTERS

■SWITCH APPLICATIONS

■SYNCHRONOUS RECTIFICATION

●最大额定值（TC=25C）

●Absolute Maximum Ratings（Tc=25C） TO-220/220FP/262/263

单位

参数

PARAMETER

符号

SYMBOL

额定值

VALUE

UNIT

V_DS=40V

漏-源电压

Drain-source Voltage

V_DS

V_GS

R_DS(ON)=3.2mΩ

I_D=120A

栅-源电压

gate-source Voltage

±20

漏极电流

Continuous Drain Current

TC=25℃

I_D

120*

①

TO-220/262/263：

耗散功率

Total Power Dissipation

130

P_tot

TO-220FP:40

最高结温

Junction Temperature

150

C

存储温度

Storage Temperature

T_STG

-55-175

500

单脉冲雪崩能量

Single Pulse Avalanche Energy

②

E_AS

●电特性（Tc=25C）

●Electronic Characteristics（Tc=25C）

参数

PARAMETER

符号

SYMBOL

测试条件

TEST CONDITION

最小值

MIN

典型值

TYP

最大值

MAX

单位

UNIT

漏-源击穿电压

Drain-source Breakdown Voltage

栅极开启电压

BV_DSS

V_GS(TH)

I_DSS

V_GS=0V, I_D=250A

V_GS=V_DS,I_D=250A③

1.2

1.9

2.5

Gate Threshold Voltage

漏-源漏电流

Drain-source Leakage Current

V_DS=40V,V_GS=0V

A

栅极漏电流

Gate-body Leakage

Current (V_DS= 0)

漏-源导通电阻

Static Drain-source On

Resistance

跨导

I_GSS

V_GS=±20V

±100

V_GS=10V, I_D=24A③

V_GS=4.5V, I_D=12A③

3.2

3.3

4.5

5.0

R_DS(ON)

g_FS

mΩ

V_DS=10V, I_D=10A③

Forwad Transconductance

●订单信息/ORDERING INFORMATION:

包装形式/PACKING

订货编码/ORDERING CODE

普通塑封料

Normal Package Material

无卤塑封料

Halogen Free

TO-220/220FP/262/263 条管装/TUBE

PACKING

SIF120N040B

TO-220/220FP/262/263-TU

SIF120N040B

TO-220/220FP/262/263-TU-HF

TO-263 编带装/TAPE & REEL PACKING

SIF120N040B TO-263-TR

SIF120N040B TO-263-TR-HF

Si semiconductors 2017.04

12 3 4 5 6 7 8

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