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SIF11N50E(TO-220&220FP&220FPL)

更新时间: 2024-11-14 17:00:59
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深爱 - SISEMIC 开关
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描述
导通电阻低 开关速度快 输入阻抗高 符合RoHS规范

SIF11N50E(TO-220&220FP&220FPL) 数据手册

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深圳深爱半导体股份有限公司  
产品规格书  
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.  
Product Specification  
N-沟道功率 MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET  
SIF11N50E  
●特点:热阻低  
开关速度快  
输入阻抗高  
符合RoHS规范  
FEATURESLOW THERMAL RESISTANCE FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE  
RoHS COMPLIANT  
●应用:电子镇流器  
电子变压器  
开关电源  
APPLICATION: ELECTRONIC BALLAST ELECTRONIC TRANSFORMER SWITCH MODE POWER SUPPLY  
●最大额定值(TC=25C)  
Absolute Maximum RatingsTc=25C)  
TO-220/220FP(L)  
单位  
参数  
PARAMETER  
符号  
SYMBOL  
额定值  
VALUE  
UNIT  
-源电压  
Drain-source Voltage  
VDS  
VGS  
500  
V
V
VDS=500V  
RDS(ON)=0.46Ω  
ID=11A  
-源电压  
gate-source Voltage  
±30  
漏极电流  
Continuous Drain Current  
TC=25℃  
ID  
11*  
A
漏极电流  
Continuous Drain Current  
TC=100℃  
ID  
6.5*  
A
A
最大脉冲电流  
Drain Current Pulsed  
IDM  
44*  
TO-220:170  
耗散功率  
Power Dissipation  
PD  
W
TO-220FP(L):56  
最高结温  
Junction Temperature  
Tj  
150  
C  
C  
存储温度  
Storage Temperature  
TSTG  
-55-150  
500  
单脉冲雪崩能量  
Single Pulse Avalanche Energy  
EAS  
mJ  
*漏极电流由最高结温限制  
*Drain current limited by maximum junction temperature  
●电特性(Tc=25C)  
Electronic CharacteristicsTc=25C)  
参数  
PARAMETER  
符号  
SYMBOL  
测试条件  
TEST CONDITION  
最小值  
MIN  
典型值  
TYP  
最大值  
MAX  
单位  
UNIT  
-源击穿电压  
Drain-source Breakdown Voltage  
BVDSS  
VGS=0V, ID=250A  
500  
V
击穿电压温度系数  
Breakdown Voltage Temperature  
Coefficient  
ΔBVDSS/  
ΔTj  
ID=250uA, Referenced to  
0.7  
V/C  
25C  
栅极开启电压  
Gate Threshold Voltage  
VGS(TH)  
VGS=VDS, ID=250A  
2.0  
4.0  
1
V
VDS =500V,  
VGS =0V, Tj=25C  
A  
-源漏电流  
Drain-source Leakage Current  
IDSS  
VDS =400V,  
VGS =0V, Tj=125C  
10  
A  
跨导  
Forward Transconductance  
VDS =40V, ID=5.5A  
gfs  
8
S
●订单信息/ORDERING INFORMATION:  
订货编码/ORDERING CODE  
包装形式/PACKING  
普通塑封料/ Normal Package Material  
无卤塑封料/Halogen Free  
SIF11N50E TO-220-TU-HF  
TO-220 条管/TUBE PACKING  
SIF11N50E TO-220-TU  
TO-220FP(L) 条管/TUBE PACKING  
SIF11N50E TO-220FP(L) -TU  
SIF11N50E TO-220FP(L) -TU-HF  
1
Si semiconductors 2017.07  

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