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SIF120N040B(DFN56)

更新时间： 2024-11-14 17:02:07

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导通电阻低开关速度快输入阻抗高符合RoHS规范

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深圳深爱半导体股份有限公司

产品规格书

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.

Product Specification

N-沟道功率 MOS 管/ N-CHANNEL POWER MOSFET

SIF120N040B

●特点：热阻低导通电阻低栅极电荷低，开关速度快输入阻抗高符合RoHS规范

●FEATURES：■LOW THERMAL RESISTANCE ■LOW R_DS(ON)TO MINIMIZE CONDUCTIVE LOSS ■LOW GATE

CHARGE FOR FAST SWITCHING ■HIGH INPUT RESISTANCE ■RoHS COMPLIANT

●应用：低压高频逆变电路同步整流开关应用

●APPLICATION: ■LOW VOLTAGE,HIGH FREQUENCY INVERTERS

■SWITCH APPLICATIONS

■SYNCHRONOUS RECTIFICATION

●最大额定值（TC=25C）

●Absolute Maximum Ratings（Tc=25C）

DFN5*6-8L

参数

PARAMETER

符号

额定值

单位

UNIT

SYMBOL VALUE

漏-源电压

Drain-source Voltage

V_DS

V_GS

栅-源电压

gate-source Voltage

±20

漏极电流

Continuous Drain Current

TC=25℃

I_D

120*

①

耗散功率

Total Power Dissipation

P_tot

150

C

最高结温

Junction Temperature

存储温度

Storage Temperature

T_STG

E_AS

-55-175

500

单脉冲雪崩能量

Single Pulse Avalanche Energy ②

●电特性（Tc=25C）

●Electronic Characteristics（Tc=25C）

参数

符号

测试条件

最小值

典型值

最大值

单位

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITION

V_GS=0V, I_D=250A

V_GS=V_DS,I_D=250A③

V_DS=40V,V_GS=0V

MIN

TYP

MAX

UNIT

漏-源击穿电压

Drain-source Breakdown Voltage

BV_DSS

V_GS(TH)

I_DSS

栅极开启电压

Gate Threshold Voltage

1.0

2.5

漏-源漏电流

Drain-source Leakage Current

A

栅极漏电流

Gate-body Leakage

Current (V_DS= 0)

漏-源导通电阻

Static Drain-source On

Resistance

跨导

I_GSS

V_GS=±20V

±100

V_GS=10V, I_D=24A③

V_GS=4.5V, I_D=12A③

3.4

4.3

4.5

5.0

R_DS(ON)

g_FS

mΩ

V_DS=10V, I_D=10A③

Forwad Transconductance

●订单信息/ORDERING INFORMATION:

包装形式/PACKING

订货编码/ORDERING CODE

DFN5X6-8L 编带装/TAPE & REEL PACKING

SIF120N040B DFN5X6-8L-TR-HF

Si semiconductors 2017.08

12 3 4

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