深圳深爱半导体股份有限公司
产品规格书
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
Product Specification
N-沟道功率 MOS 管/ N-CHANNEL POWER MOSFET
SIF10N80
●特点:热阻低
开关速度快
输入阻抗高
符合RoHS规范
●FEATURES:■LOW THERMAL RESISTANCE ■FAST SWITCHING ■HIGH INPUT RESISTANCE
■RoHS COMPLIANT
●应用:电子镇流器
电子变压器
开关电源
●APPLICATION: ■ELECTRONIC BALLAST ■ELECTRONIC TRANSFORMER ■SWITCH MODE POWER SUPPLY
●最大额定值(TC=25C)
●Absolute Maximum Ratings(Tc=25C) TO-220/220FP/262/263
参数
PARAMETER
漏-源电压
符号
SYMBOL
额定值
VALUE
单位
UNIT
VDS=800V
RDS(ON)=1.0Ω
ID=10.0A
VDS
VGS
800
V
V
Drain-source Voltage
栅-源电压
gate-source Voltage
漏极电流
±30
Continuous Drain Current
TC=25℃
漏极电流
ID
10.0*
A
Continuous Drain Current
TC=100℃
最大脉冲电流
ID
6.3*
40*
A
A
IDM
Ptot
Drain Current -Pulsed
①
TO-220:167
TO-220FP:80
TO-262/263:147
耗散功率
Power Dissipation
W
最高结温
Junction Temperature
存储温度
Storage Temperature
单脉冲雪崩能量
Tj
150
-55-150
700
C
C
TSTG
EAS
mJ
Single Pulse Avalanche Energy ②
*漏极电流由最高结温限制
*Drain current limited by maximum junction temperature
●电特性(Tc=25C)
●Electronic Characteristics(Tc=25C)
参数
PARAMETER
符号
SYMBOL
测试条件
TEST CONDITION
最小值
MIN
典型值
TYP
最大值
MAX
单位
UNIT
漏-源击穿电压
Drain-source Breakdown Voltage
击穿电压温度系数
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
栅极开启电压
BVDSS
VGS=0V, ID=250A
800
V
ΔBVDSS/
ΔTj
ID=250uA, Referenced to
0.93
V/C
25C
VGS(TH)
VGS=VDS, ID=250A
3.0
5.0
10
V
A
A
S
Gate Threshold Voltage
VDS =800V,
VGS =0V, Tj=25C
VDS =640V,
VGS =0V, Tj=125C
VDS =40V, ID=5.0A
③
漏-源漏电流
Drain-source Leakage Current
IDSS
100
跨导
Forward Transconductance
gfs
9.0
●订单信息/ORDERING INFORMATION:
订货编码/ORDERING CODE
包装形式/PACKING
普通塑封料/ Normal Package Material
无卤塑封料/Halogen Free
SIF10N80 TO-220-TU-HF
SIF10N80 TO-220FP-TU-HF
TO-220 条管装/TUBE PACKING
TO-220FP 条管装/TUBE PACKING
SIF10N80 TO-220-TU
SIF10N80 TO-220FP-TU
SIF10N80 TO-262-TU 或
SIF10N80 TO-263-TU
SIF10N80 TO-262-TU-HF 或
SIF10N80TO-263-TU-HF
TO-262 或 263 条管装/TUBE PACKING
TO-263 编带装/TAPE & REEL PACKING
SIF10N80 TO-263-TR
SIF10N80 TO-263-TR-HF
Si semiconductors 2017.03
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