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SIF10N80C(TO-220FP&220FPL) PDF预览

SIF10N80C(TO-220FP&220FPL)

更新时间： 2024-11-14 17:00:47
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深爱 - SISEMIC 开关
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5页 336K
描述
导通电阻低 开关速度快 输入阻抗高 符合RoHS规范

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SIF10N80C(TO-220FP&220FPL) 数据手册

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深圳深爱半导体股份有限公司  
产品规格书  
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.  
Product Specification  
N-沟道功率 MOS 管/ N-CHANNEL POWER MOSFET  
SIF10N80C  
●特点：热阻低  
开关速度快  
输入阻抗高  
符合RoHS规范  
●FEATURES：■LOW THERMAL RESISTANCE ■FAST SWITCHING ■HIGH INPUT RESISTANCE  
■RoHS COMPLIANT  
●应用：电子镇流器  
电子变压器  
开关电源  
●APPLICATION: ■ELECTRONIC BALLAST ■ELECTRONIC TRANSFORMER ■SWITCH MODE POWER SUPPLY  
●最大额定值（TC=25C）  
●Absolute Maximum Ratings（Tc=25C）  
TO-220FP(L)  
单位  
UNIT  
参数  
PARAMETER  
符号  
SYMBOL  
额定值  
VALUE  
漏-源电压  
Drain-source Voltage  
VDS=800V  
RDS(ON)=0.7Ω  
ID=10.0A  
VDS  
VGS  
800  
V
V
栅-源电压  
gate-source Voltage  
±30  
漏极电流  
Continuous Drain Current  
TC=25℃  
ID  
10.0*  
6.3*  
A
A
漏极电流  
Continuous Drain Current  
TC=100℃  
ID  
最大脉冲电流  
Drain Current －Pulsed  
耗散功率  
IDM  
Ptot  
40*  
80  
A
①
W
Power Dissipation  
最高结温  
Junction Temperature  
Tj  
150  
-55-150  
700  
C  
C  
mJ  
存储温度  
Storage Temperature  
TSTG  
EAS  
单脉冲雪崩能量  
Single Pulse Avalanche Energy ②  
*漏极电流由最高结温限制  
*Drain current limited by maximum junction temperature  
●电特性（Tc=25C）  
●Electronic Characteristics（Tc=25C）  
参数  
PARAMETER  
符号  
SYMBOL  
测试条件  
TEST CONDITION  
最小值  
MIN  
典型值  
TYP  
最大值  
MAX  
单位  
UNIT  
漏-源击穿电压  
Drain-source Breakdown Voltage  
BVDSS  
VGS=0V, ID=250A  
800  
V
击穿电压温度系数  
Breakdown Voltage Temperature  
Coefficient  
ΔBVDSS/  
ΔTj  
ID=250uA, Referenced to  
0.93  
V/C  
25C  
栅极开启电压  
Gate Threshold Voltage  
VGS(TH)  
VGS=VDS, ID=250A  
3.0  
5.0  
10  
V
VDS =800V,  
VGS =0V, Tj=25C  
A  
漏-源漏电流  
Drain-source Leakage Current  
IDSS  
VDS =640V,  
VGS =0V, Tj=125C  
100  
A  
跨导  
Forward Transconductance  
VDS =40V, ID=5.0A  
③
gfs  
9.0  
S
●订单信息/ORDERING INFORMATION:  
订货编码/ORDERING CODE  
包装形式/PACKING  
普通塑封料/ Normal Package Material  
SIF10N80C TO-220FP(L)-TU  
无卤塑封料/Halogen Free  
TO-220FP(L) 条管装/TUBE PACKING  
SIF10N80C TO-220FP(L)-TU-HF  
Si semiconductors 2016.12  
1
12345

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