深圳深爱半导体股份有限公司
产品规格书
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
Product Specification
N-沟道功率 MOS 管/ N-CHANNEL POWER MOSFET
SIF10N40E
●特点:导通电阻低
开关速度快
输入阻抗高
符合RoHS规范
●FEATURES:■LOW ON-RESISTANCE ■FAST SWITCHING ■HIGH INPUT RESISTANCE
■RoHS COMPLIANT
●应用:电子镇流器
电子变压器
开关电源
●APPLICATION: ■ELECTRONIC BALLAST ■ELECTRONIC TRANSFORMER ■SWITCH MODE POWER SUPPLY
●最大额定值(TC=25C)
●Absolute Maximum Ratings(Tc=25C)
TO-220/220FP/262/263
参数
PARAMETER
漏-源电压
符号
SYMBOL
额定值
VALUE
单位
UNIT
VDS=400V
VDS
VGS
400
V
V
Drain-source Voltage
栅-源电压
gate-source Voltage
RDS(ON)=0.48Ω
ID=10.0A
±20
漏极电流
Continuous Drain Current
TC=25℃
A
ID
10
漏极电流
Continuous Drain Current
TC=100℃
ID
6.3
40
A
A
最大脉冲电流
Drain Current -Pulsed
IDM
①
TO-220:140
TO-220FP:40
TO-262/263:140
耗散功率
Power Dissipation
PD
W
最高结温
Junction Temperature
Tj
150
-55-150
310
C
C
mJ
存储温度
Storage Temperature
TSTG
EAS
单脉冲雪崩能量
Single Pulse Avalanche Energy②
漏极电流由最高结温限制
Drain current limited by maximum junction temperature
●电特性(Tc=25C)
●Electronic Characteristics(Tc=25C)
参数
符号
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN
TYP
MAX
UNIT
漏-源击穿电压
Drain-source Breakdown Voltage
BVDSS
VGS=0V, ID=250A
400
V
击穿电压温度系数
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
ΔBVDSS/
ΔTj
ID=1mA, Referenced to
0.49
V/C
25C
栅极开启电压
Gate Threshold Voltage
VGS(TH)
VGS=VDS, ID=250A
2.0
4.0
25
V
A
A
S
VDS =400V,
VGS =0V, Tj=25C
VDS =320V,
漏-源漏电流
Drain-source Leakage Current
IDSS
250
VGS =0V, Tj=125C
跨导
Forward Transconductance
VDS =50V, ID=5A
③
gfs
5
●订单信息/ORDERING INFORMATION:
订货编码/ORDERING CODE
包装形式/PACKING
普通塑封料/ Normal Package Material
无卤塑封料/Halogen Free
SIF10N40E TO-220-TU-HF
SIF10N40E TO-220FP-TU-HF
TO-220 条管装/TUBE PACKING
TO-220FP 条管装/TUBE PACKING
SIF10N40E TO-220-TU
SIF10N40E TO-220FP-TU
SIF10N40E TO-262-TU 或
SIF10N40E TO-263-TU
SIF10N40E TO-262-TU-HF 或
SIF10N40E TO-263-TU-HF
TO-262 或 263 条管装/TUBE PACKING
TO-263 编带装/TAPE & REEL PACKING
SIF10N40E TO-263-TR
SIF10N40E TO-263-TR-HF
Si semiconductors 2017.03
1