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SIF10N40E(TO-220&220FP&262&263)

更新时间： 2024-04-09 18:59:37

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描述
导通电阻低开关速度快输入阻抗高符合RoHS规范

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SIF10N40E(TO-220&220FP&262&263) 数据手册

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深圳深爱半导体股份有限公司

产品规格书

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.

Product Specification

N-沟道功率 MOS 管/ N-CHANNEL POWER MOSFET

SIF10N40E

参数

PARAMETER

符号

SYMBOL

测试条件

TEST CONDITION

最小值

MIN

典型值

TYP

最大值

MAX

单位

UNIT

栅极漏电流

Gate-body Leakage

Current (V_DS= 0)

I_GSS

V_GS=±30V

±100

0.55

漏-源导通电阻

Static Drain-source On

Resistance

V_GS=10V, I_D=5.0A

③

R_DS(ON)

0.48

输入电容

Input Capacitance

Ciss

Coss

Crss

1200

110

输出电容

Output Capacitance

V_GS= 0V, V_DS= 25V

F = 1.0MHZ

反馈电容

Feedback Capacitance

V_DD=200V, I_D=10A

R_G= 9.1Ω, R_D= 20Ω

③

关断延迟

Turn -Off Delay Time

Td(off)

栅极电荷

Total Gate Charge

I_D=10A, V_DS= 320V

栅源电荷

Gate-to-Source Charge

V_GS= 10V

③

Qgs

Qgd

栅漏电荷

Gate-to-Drain Charge

二极管正向电流

Continuous Diode Forward

Current

I_S

二极管正向压降

Diode Forward Voltage

Tj=25°C, Is=10A

V_SD

trr

V_GS=0V

③

反向恢复时间

Reverse Recovery Time

370

3.8

Tj=25°C, If=10A

di/dt=100A/μs

③

反向恢复电荷

Reverse Recovery Charge

Qrr

●热特性

●Thermal Characteristics

最大值

MAX

参数

PARAMETER

符号

SYMBOL

单位

UNIT

TO-220

TO-220FP

TO-262/263

热阻结-壳

Thermal Resistance Junction-case

Rth_JC

Rth_JA

0.89

3.13

0.89

℃/W

热阻结-环境

Thermal Resistance Junction-ambient

62.5

注释(Notes):

① 脉冲宽度：以最高节温为限制

Repetitive rating: Pulse width limited by maximum junction temperature

② 初始结温=25^oC, V_DD=50V, L=9.1mH, R_G=25Ω, I_AS=10A

Starting Tj=25^oC, V_DD=50V, L=9.1mH, R_G=25Ω, I_AS=10A

③ 脉冲测试：脉冲宽度≤ 300μs ，占空比≤ 2 ％

Pulse Test : Pulse width ≤ 300μs, Duty cycle ≤ 2%

Si semiconductors 2017.03

123 4 5 6 7...9

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