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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SI7116DN-T1-E3
SI7116DN-T1-E3 PDF预览

SI7116DN-T1-E3

更新时间： 2024-11-07 12:02:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲PC
页数 文件大小 规格书
12页 538K
描述
N-Channel 40-V (D-S) Fast Switching MOSFET

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SI7116DN-T1-E3 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, S-XDSO-C5针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：1.36Samacsys Confidence：4
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：1110775
Samacsys Pin Count：11Samacsys Part Category：MOSFET (N-Channel)
Samacsys Package Category：OtherSamacsys Footprint Name：PowerPAK SO-8 Single
Samacsys Released Date：2020-02-06 11:12:03Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：11 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：10.5 A最大漏极电流 (ID)：10.5 A
最大漏源导通电阻：0.0078 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-XDSO-C5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：3.8 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI7116DN-T1-E3 数据手册

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Si7116DN  
Vishay Siliconix  
N-Channel 40-V (D-S) Fast Switching MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
•
•
Halogen-free Option Available  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
16.4  
14.5  
Qg (Typ.)  
TrenchFET® Power MOSFET  
RoHS  
0.0078 at VGS = 10 V  
0.010 at VGS = 4.5 V  
New Low Thermal Resistance PowerPAK®  
Package with Low 1.07 mm Profile  
40  
15 nC  
COMPLIANT  
•
•
PWM Optimized  
100 % Rg Tested  
PowerPAK 1212-8  
APPLICATIONS  
•
•
•
Synchronous Rectification  
Intermediate Switch  
Synchronous Buck  
S
3.30 mm  
3.30 mm  
1
S
2
S
3
D
G
4
D
8
D
7
D
6
D
G
5
Bottom View  
S
Ordering Information: Si7116DN-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si7116DN-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
10 s  
Steady State  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
40  
20  
V
VGS  
TA = 25 °C  
A = 70 °C  
16.4  
13.1  
10.5  
8.4  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
T
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
60  
A
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
Avalanche Current  
3.2  
1.3  
IAS  
EAS  
15  
L = 0 1 mH  
Avalanche Energy  
11  
mJ  
W
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
3.8  
2.0  
1.5  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
0.8  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)b, c  
- 55 to 150  
260  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
24  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 s  
33  
81  
Maximum Junction-to-Ambienta  
RthJA  
Steady State  
Steady State  
65  
°C/W  
RthJC  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
1.9  
2.4  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
b. See Solder Profile (http://www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK 1212-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed  
copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and  
is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
c. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
Document Number: 73139  
S-80581-Rev. D, 17-Mar-08  
www.vishay.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
Si7117DN VISHAY

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