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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, S-XDSO-C5 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.74 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 24 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6.3 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 6.3 A | 最大漏源导通电阻： | 0.019 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | S-XDSO-C5 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 5 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 3.8 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 40 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Powers | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | PURE MATTE TIN | 端子形式： | C BEND |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI7121ADN | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
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| SI7121ADN-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.015ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| SI7121DN | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI7121DN-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
|
| SI7123DN | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 20 V (D-S) MOSFET |
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| SI7123DN-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
MOSFET P-CH 20V 10.2A 1212-8 |
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| SI7129DN | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
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| SI7129DN | KEXIN |
获取价格 |
P-Channel MOSFET |
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| SI7129DN (KI7129DN) | KEXIN |
获取价格 |
P-Channel MOSFET |
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| SI7129DN-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Trans MOSFET P-CH 30V 14.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
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