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SI7129DN

更新时间: 2024-11-18 18:09:55
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8页 2352K
描述
P-Channel MOSFET

SI7129DN 数据手册

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SMD Type  
MOSFET  
P-Channel MOSFET  
SI7129DN (KI7129DN)  
1212-8 (DFN)  
Features  
VDS (V) =-30V  
ID =-35 A (VGS =-10V)  
S
3.30 mm  
3.30 mm  
RDS(ON) 11.4mΩ (VGS =-10V)  
RDS(ON) 20mΩ (VGS =-4.5V)  
1
S
2
S
3
G
S
4
D
8
D
7
D
6
D
G
5
Bottom View  
D
Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Symbol  
Rating  
-30  
Unit  
V
V
DS  
GS  
Gate-Source Voltage  
V
±20  
-35  
T
C
=25℃  
=70℃  
-35  
T
C
Continuous Drain Current  
ID  
-14.4  
-11.5  
-60  
Ta=25(Note.1 and 2)  
Ta=70(Note.1 and 2)  
A
Pulsed Drain Current  
I
DM  
AS  
AS  
Avalanche Current  
I
-25  
L=0.1mH  
Single-Pulse Avalanche Energy  
E
31.25  
52.1  
3.3  
mJ  
W
T
T
C
=25℃  
=70℃  
C
Power Dissipation  
PD  
3.8  
Ta=25(Note.1 and 2)  
Ta=70(Note.1 and 2)  
t10s (Note.1 and 2)  
Steady State  
2.4  
Thermal Resistance.Junction- to-Ambient  
Thermal Resistance.Junction- to-Case  
Junction Temperature  
R
thJA  
thJC  
33  
/W  
R
2.4  
T
J
150  
Junction Storage Temperature Range  
T
stg  
-55 to 150  
Note.1: Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.  
Note.2: t = 10 s.  
1
www.kexin.com.cn  

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