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SI7136DP-T1-GE3

更新时间： 2024-09-17 20:04:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 319K
描述
N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel

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SI7136DP-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
其他特性：ULTRA LOW-ON RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：45 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：30 A
最大漏极电流 (ID)：29.5 A最大漏源导通电阻：0.0032 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XDSO-C5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：39 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：70 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI7136DP-T1-GE3 数据手册

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Si7136DP  
Vishay Siliconix  
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
Available  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)a  
30  
0.0032 at VGS = 10 V  
0.0045 at VGS = 4.5 V  
•
Ultra-Low On-Resistance Using High  
Density TrenchFET® Gen II Power  
MOSFET Technology  
20  
24.5  
30  
PowerPAK SO-8  
•
Qg Optimized  
• 100 % Rg Tested  
• 100 % UIS Tested  
D
S
6.15 mm  
5.15 mm  
1
S
2
S
APPLICATIONS  
3
G
4
• Low-Side DC/DC Conversion  
- Notebook  
D
8
G
D
7
- Server  
- Workstation  
D
6
D
5
Bottom View  
Ordering Information: Si7136DP-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si7136DP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
S
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Symbol  
VDS  
VGS  
Limit  
20  
20  
Unit  
V
T
T
C = 25 °C  
C = 70 °C  
30  
30  
29.5b, c  
20b, c  
70  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
TC = 25 °C  
30  
4.5b, c  
30  
Continuous Source-Drain Diode Current  
TA = 25 °C  
IAS  
EAS  
Avalanche Current  
L = 0.1 mH  
Single-Pulse Avalanche Energy  
45  
mJ  
W
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
39  
25  
5b, c  
3.2b, c  
PD  
Maximum Power Dissipation  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)d, e  
- 55 to 150  
°C  
260  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
Maximum Junction-to-Ambientb, f  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
t ≤ 10 s  
Steady State  
RthJA  
RthJC  
20  
25  
°C/W  
2.1  
3.2  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. See Solder Profile (www.vishay.com/doc?73461). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed  
copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and  
is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
e. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
f. Maximum under steady state conditions is 70 °C/W.  
Document Number: 73601  
S09-0222-Rev. B, 09-Feb-09  
www.vishay.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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