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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SI7120ADN-T1-GE3
SI7120ADN-T1-GE3 PDF预览

SI7120ADN-T1-GE3

更新时间： 2024-09-17 09:25:55
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
12页 578K
描述
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

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SI7120ADN-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-C5
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：1.7
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：1253642Samacsys Pin Count：8
Samacsys Part Category：MOSFET (N-Channel)Samacsys Package Category：Other
Samacsys Footprint Name：PowerPAK? 1212-8 Single_2-2Samacsys Released Date：2019-11-13 14:03:06
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：24 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：6 A
最大漏源导通电阻：0.021 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-PDSO-C5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：PURE MATTE TIN端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI7120ADN-T1-GE3 数据手册

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New Product  
Si7120ADN  
Vishay Siliconix  
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
9.5  
Definition  
0.021 at VGS = 10 V  
0.031 at VGS = 4.5 V  
•
•
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg Tested  
100 % UIS Tested  
60  
7.9  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
PowerPAK® 1212-8  
APPLICATIONS  
•
Primary Side Switch  
•
Synchronous Rectification  
S
3.30 mm  
3.30 mm  
D
1
S
2
S
3
G
4
D
8
D
G
7
D
6
D
5
Bottom View  
Ordering Information: Si7120ADN-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
S
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
10 s  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
60  
20  
V
VGS  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
9.5  
7.6  
6.0  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
4.8  
Pulsed Drain Current  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
IDM  
IS  
40  
A
3.2  
1.3  
Single Avalanche Current  
IAS  
EAS  
22  
24  
L = 0.1 mH  
Single Avalanche Energy  
mJ  
W
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
3.8  
1.5  
1.0  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
2.4  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)b, c  
TJ, Tstg  
- 55 to 150  
260  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
RthJA  
RthJC  
Typical  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 s  
Steady State  
Steady State  
26  
65  
33  
81  
Maximum Junction-to-Ambienta  
°C/W  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
1.9  
2.4  
Notes:  
a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.  
b. See solder profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK 1212-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed  
copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and  
is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
c. Rework conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
Document Number: 72959  
S10-1041-Rev. A, 03-May-10  
www.vishay.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI7120DN VISHAY

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 		N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI7120DN-T1-E3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 6.3 A, 60 V, 0.019 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, LEADLESS,
SI7120DN-T1-GE3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 6.3 A, 60 V, 0.019 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COM
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