SI4558DY

更新时间： 2024-01-29 23:14:55

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威世 - VISHAY		晶体晶体管
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描述
N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SI4558DY 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.6	Is Samacsys：	N
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2.4 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

SI4558DY 数据手册

Si4558DY

Vishay Siliconix

N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.040 @ V = 10 V

"4.8

N-Channel

P-Channel

0.060 @ V = 4.5 V

0.040 @ V = –10 V

–30

0.070 @ V = –4.5 V

"4.4

SO-8

Top View

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T= _2C5 UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

N-Channel

P-Channel

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"20

–30

"20

= 25_C

= 70_C

Continuous Drain Current (T = 150_C)

"4.7

"30

"4.7

"30

–2

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)

= 25_C

= 70_C

2.4

1.5

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

N- or P- Channel

Unit

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

_C/W

Notes

a. Surface Mounted on FR4 Board, t v 10 sec.

Document Number: 70633

S-56944—Rev. E, 23-Nov-98

www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600

2-1

12 3 4 5 6

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