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SI4559ADY

更新时间： 2024-01-17 21:06:10
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
12页 137K
描述
N- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

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SI4559ADY 技术参数

生命周期：TransferredReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.69配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：4.5 A
最大漏源导通电阻：0.055 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI4559ADY 数据手册

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Si4559ADY  
Vishay Siliconix  
New Product  
N- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
D TrenchFETr Power MOSFET  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)a  
Qg (Typ)  
D 100 % Rg & UIS Tested  
APPLICATIONS  
RoHS  
0.058 at V = 10 V  
5.3  
4.7  
GS  
N-Channel  
P-Channel  
60  
6 nC  
COMPLIANT  
0.072 at V = 4.5 V  
GS  
D CCFL Inverter  
0.120 at V = –10 V  
–3.9  
–3.5  
GS  
–60  
8nC  
0.150 at V = –4.5 V  
GS  
D
1
S
2
SO-8  
S
1
D
1
1
2
3
4
8
7
6
5
G
2
G
1
D
1
G
1
S
2
D
2
G
2
D
2
S
1
D
2
Top View  
N-Channel MOSFET  
P-Channel MOSFET  
Ordering Information: Si4559ADY-T1—E3 (Lead (Pb)-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 _C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
N-Channel  
P-Channel  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
60  
–60  
DS  
V
V
GS  
"20  
T
T
= 25 _C  
= 70 _C  
= 25 _C  
= 70 _C  
5.3  
4.3  
b, c  
4.3  
–3.9  
–3.2  
C
C
Continuous Drain Current (T = 150 _C)  
I
D
J
b, c  
T
–3.0  
A
b, c  
3.4  
b, c  
T
–2.4  
A
Pulsed Drain Current (10 ms Pulse Width)  
I
20  
–25  
A
DM  
T
= 25 _C  
= 25 _C  
2.6  
b, c  
1.7  
–2.8  
C
Source-Drain Current Diode Current  
I
S
b, c  
T
–1.7  
A
Pulsed Source-Drain Current  
Single Pulse Avalanche Current  
Single Pulse Avalanche Energy  
I
20  
11  
6.1  
3.1  
2
–25  
15  
SM  
I
AS  
L = 0.1 mH  
E
AS  
11  
mJ  
T = 25 _C  
3.4  
2.2  
b, c  
2
C
T = 70 _C  
C
Maximum Power Dissipation  
P
D
W
b, c  
2
b, c  
1.3  
T
= 25 _C  
= 70 _C  
A
b, c  
1.3  
T
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
–55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
N-Channel  
P-Channel  
Parameter  
Symbol  
Typ  
Max  
Typ  
Max  
Unit  
b, d  
Maximum Junction-to-Ambient  
t v 10 sec  
Steady-State  
R
55  
33  
62.5  
40  
53  
30  
62.5  
37  
thJA  
thJF  
_
C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
R
Notes  
a. Based on T = 25 _C.  
C
b. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
c. t = 10 sec.  
d. Maximum under steady state conditions is 110 _C/W for N-channel and P-channel.  
Document Number: 73624  
S–52667—Rev. A, 02-Jan-06  
www.vishay.com  
1
1234567...12

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与SI4559ADY相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4559ADY_09 VISHAY

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 		N- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI4559ADY-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		N- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI4559ADY-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		N- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI4559EY VISHAY

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 		N-Channel 60-V (D-S), 175∑C MOSFET
SI4559EY-E3 VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 60V, 0.055ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channe
SI4559EY-T1 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 60V, 0.055ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channe
SI4559EY-T1-E3 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.055ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon,
SI4561DY-T1-E3 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel and P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel and P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
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