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SI4559EY-E3

更新时间： 2024-01-19 17:18:58

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	243K
描述
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 60V, 0.055ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, SO-8

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SI4559EY-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.69
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	4.5 A	最大漏源导通电阻：	0.055 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	30 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI4559EY-T1	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 60V, 0.055ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channe
SI4559EY-T1-E3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.055ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon,
SI4561DY-T1-E3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel and P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
SI4561DY-T1-GE3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel and P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
SI4562DY	VISHAY	获取价格	N- and P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI4562DY_06	VISHAY	获取价格	N- and P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI4562DY-T1	VISHAY	获取价格	Transistor
SI4562DY-T1-E3	VISHAY	获取价格	N- and P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI4563DY-T1-E3	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 40V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Si
SI4563DY-T1-GE3	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 40V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Si

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