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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOT | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 5 mJ | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 40 V | 最大漏极电流 (ID)： | 6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.027 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | MS-012AA | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | PURE MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SI4569DY-T1-E3 | VISHAY |
完全替代  |
Trans MOSFET N/P-CH 40V 6A/6.1A 8-Pin SOIC N T/R |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| Si4590DY | VISHAY |
获取价格 |
N- and P-Channel 100 V (D-S) MOSFET |
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| SI4599DY | VISHAY |
获取价格 |
N- and P-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
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| SI4599DY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
N- and P-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
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| SI-46001 | MICREL |
获取价格 |
10Base-T/100Base-TX Physical Layer Transceiver |
|
| SI-46001-F | BEL |
获取价格 |
SI-46001-F |
|
| SI-46002 | BEL |
获取价格 |
SI-46002 |
|
| SI-46002-F | BEL |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| SI-46003 | BEL |
获取价格 |
SI-46003 |
|
| SI-46004 | BEL |
获取价格 |
SI-46004 |
|
| SI-46004-F | BEL |
获取价格 |
Telecom and Datacom Connector, |
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