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SI4561DY-T1-GE3

更新时间： 2024-01-02 19:53:42
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
12页 142K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel and P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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SI4561DY-T1-GE3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.81最大漏极电流 (Abs) (ID)：7.2 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高工作温度：150 °C
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：3.3 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

SI4561DY-T1-GE3 数据手册

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Si4561DY  
Vishay Siliconix  
N- and P-Channel 40-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS  
(V)  
Qg  
(Typ.)  
I
D (A)a  
RDS(on) (Ω)  
Available  
• TrenchFET® Power MOSFET  
0.0355 at VGS = 10 V  
0.0425 at VGS = 4.5 V  
0.035 at VGS = - 10 V  
0.047 at VGS = - 4.5 V  
6.8  
6.2  
N-Channel  
P-Channel  
40  
5.3  
17  
APPLICATIONS  
- 7.2  
- 6.2  
•
Backlight Inverter for LCD Display  
- 40  
D
1
S
2
SO-8  
S
G
S
D
1
D
1
D
2
D
2
1
2
3
4
8
7
6
5
1
1
2
2
G
2
G
1
G
Top View  
Ordering Information: Si4561DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si4561DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
S
D
2
1
N-Channel MOSFET  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
N-Channel  
P-Channel  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
40  
- 40  
V
VGS  
20  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
6.8  
5.4  
- 7.2  
- 5.7  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
5.6b, c  
- 5.6b, c  
TA = 25 °C  
4.4b, c  
- 4.4b, c  
TA = 70 °C  
IDM  
IS  
A
Pulsed Drain Current  
20  
- 20  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
2.5  
- 2.5  
Source-Drain Current Diode Current  
1.6b, c  
20  
- 1.6b, c  
- 20  
ISM  
IAS  
Pulsed Source-Drain Current  
Single Pulse Avalanche Current  
Single Pulse Avalanche Energy  
7
15  
L = 0 1 mH  
TC = 25 °C  
EAS  
2.45  
3.0  
1.9  
11.25  
3.3  
mJ  
W
T
C = 70 °C  
A = 25 °C  
2.10  
PD  
Maximum Power Dissipation  
2.0b, c  
2.0b, c  
T
1.25b, c  
1.25b, c  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
- 55 to 150  
°C  
N-Channel  
P-Channel  
Symbol  
Typ.  
Max.  
Typ.  
Max.  
62.5  
37  
Unit  
Maximum Junction-to-Ambientb, d  
RthJA  
t ≤ 10 s  
54  
33  
64  
42  
50  
31  
°C/W  
RthJF  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Steady State  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. Maximum under Steady State conditions is 120 °C/W.  
Document Number: 69730  
S09-0220-Rev. C, 09-Feb-09  
www.vishay.com  
1
1234567...12

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SI4561DY-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI4599DY-T1-GE3 VISHAY

完全替代

 N- and P-Channel 40-V (D-S) MOSFET

与SI4561DY-T1-GE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4562DY VISHAY

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 		N- and P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI4562DY_06 VISHAY

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 		N- and P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI4562DY-T1 VISHAY

获取价格

 		Transistor
SI4562DY-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		N- and P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI4563DY-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 40V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Si
SI4563DY-T1-GE3 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel and P-Channel, Metal-oxide Semiconductor F
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