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SI4564DY-T1-GE3

更新时间： 2024-02-13 09:56:55
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
12页 153K
描述
N- and P-Channel 40 V (D-S) MOSFET

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SI4564DY-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.77配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：10 A
最大漏极电流 (ID)：8 A最大漏源导通电阻：0.0175 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：3.2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

SI4564DY-T1-GE3 数据手册

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Si4564DY  
Vishay Siliconix  
N- and P-Channel 40 V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)a  
10  
Definition  
0.0175 at VGS = 10 V  
0.020 at VGS = 4.5 V  
0.021 at VGS = - 10 V  
0.028 at VGS = - 4.5 V  
•
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg and UIS Tested  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
N-Channel  
P-Channel  
40  
9.8  
9.2  
- 9.2  
- 7.4  
- 40  
21.7  
APPLICATIONS  
Notebook PCs  
•
D
1
S
2
SO-8  
S
G
S
D
D
D
D
1
2
3
4
8
7
6
5
1
1
2
2
1
1
2
2
G
2
G
1
G
Top View  
S
1
D
2
Ordering Information: Si4564DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
N-Channel  
P-Channel  
- 40  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
40  
16  
10  
8
V
VGS  
20  
T
C = 25 °C  
TC = 70 °C  
A = 25 °C  
- 9.2  
- 7.4  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
8.0b, c  
- 7.2b, c  
T
6.2b, c  
- 5.8b, c  
TA = 70 °C  
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current (10 µs Pulse Width)  
Source-Drain Current Diode Current  
40  
- 40  
A
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
2.6  
- 2.6  
1.6b, c  
40  
- 1.6b, c  
- 40  
ISM  
IAS  
Pulsed Source-Drain Current  
Single Pulse Avalanche Current  
Single Pulse Avalanche Energy  
10  
5
- 20  
20  
L = 0.1 mH  
EAS  
mJ  
W
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
3.1  
2
3.2  
2.1  
PD  
Maximum Power Dissipation  
2b, c  
1.28b, c  
2b, c  
1.28b, c  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
N-Channel  
Typ. Max.  
P-Channel  
Parameter  
Symbol  
RthJA  
Unit  
Typ.  
Max.  
Maximum Junction-to-Ambientb, d  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
t ≤ 10 s  
50  
30  
62.5  
40  
47  
29  
62.5  
38  
°C/W  
RthJF  
Steady State  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. Maximum under Steady State conditions is 120 °C/W (N-Channel) and 110 °C/W (P-Channel).  
Document Number: 65922  
S10-0455-Rev. B, 22-Feb-10  
www.vishay.com  
1
1234567...12

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SI4564DY-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI4563DY-T1-E3 VISHAY

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