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SI4563DY-T1-E3 PDF预览

SI4563DY-T1-E3

更新时间： 2024-01-18 22:55:49
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 136K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 40V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, SOP-8

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SI4563DY-T1-E3 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.29
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (ID)：8 A
最大漏源导通电阻：0.016 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI4563DY-T1-E3 数据手册

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Si4563DY  
Vishay Siliconix  
N- and P-Channel 40-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)a  
8
Available  
0.016 at VGS = 10 V  
0.019 at VGS = 4.5 V  
0.025 at VGS = - 10 V  
0.032 at VGS = - 4.5 V  
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg Tested  
N-Channel  
P-Channel  
40  
56  
8
- 8  
- 40  
6
APPLICATIONS  
CCFL Inverter  
- 7.5  
•
D
1
S
2
SO-8  
S
G
S
D
1
D
1
D
2
D
2
1
2
3
4
8
7
6
5
1
1
2
2
G
2
G
1
G
Top View  
Ordering Information: Si4563DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si4563DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
S
D
2
1
N-Channel MOSFET  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
N-Channel  
P-Channel  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
40  
- 40  
V
VGS  
16  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
8
8
- 8  
- 6.5  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
8b, c  
- 6.6b, c  
TA = 25 °C  
6.5b, c  
- 5.2b, c  
TA = 70 °C  
IDM  
IS  
A
Pulsed Drain Current (10 µs Pulse Width)  
Source-Drain Current Diode Current  
20  
- 20  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
2.7  
- 2.7  
1.6b, c  
20  
- 1.6b, c  
- 20  
ISM  
IAS  
Pulsed Source-Drain Current  
Single Pulse Avalanche Current  
Single Pulse Avalanche Energy  
20  
25  
L = 0 1 mH  
TC = 25 °C  
EAS  
20  
31.2  
3.25  
2.10  
mJ  
W
3.25  
2.10  
T
C = 70 °C  
A = 25 °C  
PD  
Maximum Power Dissipation  
2.0b, c  
2.0b, c  
T
1.25b, c  
1.25b, c  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
- 55 to 150  
°C  
N-Channel  
P-Channel  
Symbol  
RthJA  
Unit  
Typ.  
Max.  
Typ.  
Max.  
62.5  
38  
Maximum Junction-to-Ambientb, d  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
t ≤ 10 s  
45  
29  
62.5  
38  
45  
29  
°C/W  
RthJF  
Steady State  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. Maximum under Steady State conditions is 120 °C/W.  
Document Number: 73513  
S09-0393-Rev. C, 09-Mar-09  
www.vishay.com  
1
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SI4563DY-T1-E3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI4563DY-T1-GE3 VISHAY

完全替代

 Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 40V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Si
SI4564DY-T1-GE3 VISHAY

类似代替

 N- and P-Channel 40 V (D-S) MOSFET

与SI4563DY-T1-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4563DY-T1-GE3 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 40V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Si
SI4564DY VISHAY

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 		N- and P-Channel 40 V (D-S) MOSFET
SI4564DY-T1-GE3 VISHAY

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 		N- and P-Channel 40 V (D-S) MOSFET
SI4565ADY-T1-E3 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel and P-Channel, Metal-oxide Semiconductor F
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 		Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel and P-Channel, Metal-oxide Semiconductor F
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SI4567DY

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 		Dual N- and P-Channel 40-V (D-S) MOSFET
SI4567DY-T1-E3 VISHAY

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 		MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC

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