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SI4565ADY-T1-GE3

更新时间： 2024-01-12 19:40:58
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
12页 150K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel and P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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SI4565ADY-T1-GE3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.84最大漏极电流 (Abs) (ID)：6.6 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：3.1 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
Base Number Matches：1

SI4565ADY-T1-GE3 数据手册

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Si4565ADY  
Vishay Siliconix  
N- and P-Channel 40-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)a  
6.6  
Available  
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg and UIS Tested  
0.039 at VGS = 10 V  
0.050 at VGS = 4.5 V  
0.054 at VGS = - 10 V  
0.072 at VGS = - 4.5 V  
•
•
N-Channel  
P-Channel  
40  
6.6  
5.8  
- 4.5  
- 3.9  
APPLICATIONS  
- 40  
9
•
CCFL Inverter  
D
1
S
2
SO-8  
S
1
D
1
D
1
D
2
D
2
1
2
3
4
8
7
6
5
G
1
G
2
G
1
S
2
G
2
Top View  
Ordering Information: Si4565ADY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
S
1
D
2
Si4565ADY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
N-Channel  
P-Channel  
Unit  
VDS  
40  
- 40  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
16  
T
C = 25 °C  
6.6  
5.3  
5.3b, c  
4.2b, c  
30  
- 5.6  
- 4.5  
- 4.5b, c  
- 3.6b, c  
- 30  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
IDM  
IS  
A
Pulsed Drain Current (10 µs Pulse Width)  
Source-Drain Current Diode Current  
TC = 25 °C  
2.5  
1.7b, c  
30  
- 2.5  
- 1.7b, c  
- 30  
TA = 25 °C  
Pulsed Source-Drain Current  
Single Pulse Avalanche Current  
Single Pulse Avalanche Energy  
ISM  
IAS  
13  
8.5  
3.1  
2
2b, c  
1.28b, c  
16  
13  
3.1  
2
2b, c  
1.28b, c  
L = 0.1 mH  
EAS  
mJ  
W
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Maximum Power Dissipation  
PD  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
- 55 to 150  
°C  
N-Channel  
P-Channel  
Typ.  
50  
Symbol  
RthJA  
RthJF  
Typ.  
52  
Max.  
62.5  
40  
Max.  
62.5  
38  
Unit  
Maximum Junction-to-Ambientb, d  
t ≤ 10 s  
°C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Steady-State  
32  
30  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. Maximum under Steady State conditions is 120 °C/W (N-Channel) and 110 °C/W (P-Channel).  
Document Number: 73880  
S09-0393-Rev. B, 09-Mar-09  
www.vishay.com  
1
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SI4565ADY-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI4599DY-T1-GE3 VISHAY

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