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SI4559EY

更新时间： 2024-01-11 10:33:18
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威世 - VISHAY 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 84K
描述
N-Channel 60-V (D-S), 175∑C MOSFET

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SI4559EY 技术参数

生命周期：TransferredReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.69配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：4.5 A
最大漏源导通电阻：0.055 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI4559EY 数据手册

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Si4559EY  
Vishay Siliconix  
N-Channel 60-V (D-S), 175°C MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
0.055 @ V = 10 V  
"4.5  
"3.9  
"3.1  
"2.8  
GS  
N-Channel  
P-Channel  
60  
0.075 @ V = 4.5 V  
GS  
0.120 @ V = –10 V  
GS  
–60  
0.150 @ V = –4.5 V  
GS  
D
1
D
1
S
2
SO-8  
G
2
S
1
D
1
D
1
D
2
D
2
1
2
3
4
8
7
6
5
G
1
G
1
S
2
G
2
S
1
D
2
D
2
Top View  
N-Channel MOSFET  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T= _2C5 UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
N-Channel  
P-Channel  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
60  
–60  
"20  
"3.1  
"2.6  
"30  
–2.0  
DS  
V
V
GS  
"20  
"4.5  
"3.8  
"30  
2.0  
T
= 25_C  
= 70_C  
A
a
Continuous Drain Current (T = 175_C)  
I
J
D
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
DM  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
S
T
= 25_C  
= 70_C  
2.4  
1.7  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
D
W
T
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
–55 to 175  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
N- or P- Channel  
Unit  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
62.5  
_C/W  
Notes  
a. Surface Mounted on FR4 Board, t v 10 sec.  
Document Number: 70167  
S-57253—Rev. D, 24-Feb-98  
www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600  
2-1  
123456

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SI4559EY 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI4559ADY-T1-GE3 VISHAY

类似代替

 N- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI4559ADY-T1-E3 VISHAY

功能相似

 N- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

与SI4559EY相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4559EY-E3 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 60V, 0.055ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channe
SI4559EY-T1 VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 60V, 0.055ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channe
SI4559EY-T1-E3 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.055ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon,
SI4561DY-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel and P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
SI4561DY-T1-GE3 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel and P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
SI4562DY VISHAY

获取价格

 		N- and P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI4562DY_06 VISHAY

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 		N- and P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI4562DY-T1 VISHAY

获取价格

 		Transistor
SI4562DY-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		N- and P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI4563DY-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 40V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Si

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