5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SI4559ADY-T1-GE3
SI4559ADY-T1-GE3 PDF预览

SI4559ADY-T1-GE3

更新时间： 2024-02-14 05:19:56
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
15页 274K
描述
N- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

SI4559ADY-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：0.86Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：5309
Samacsys Pin Count：8Samacsys Part Category：Integrated Circuit
Samacsys Package Category：Small Outline PackagesSamacsys Footprint Name：8-Pin Narrow SOIC
Samacsys Released Date：2015-07-16 09:54:08Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：6.1 mJ配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.3 A
最大漏极电流 (ID)：4.3 A最大漏源导通电阻：0.058 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：3.4 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI4559ADY-T1-GE3 数据手册

 浏览型号SI4559ADY-T1-GE3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SI4559ADY-T1-GE3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SI4559ADY-T1-GE3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SI4559ADY-T1-GE3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SI4559ADY-T1-GE3的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SI4559ADY-T1-GE3的Datasheet PDF文件第7页 
Si4559ADY  
Vishay Siliconix  
N- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)a  
5.3  
Available  
0.058 at VGS = 10 V  
0.072 at VGS = 4.5 V  
0.120 at VGS = - 10 V  
0.150 at VGS = - 4.5 V  
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg and UIS Tested  
N-Channel  
P-Channel  
60  
6 nC  
4.7  
- 3.9  
- 3.5  
APPLICATIONS  
CCFL Inverter  
- 60  
8 nC  
•
D
1
S
2
SO-8  
S
D
1
D
1
D
2
D
2
1
2
3
4
8
7
6
5
1
1
2
2
G
S
G
2
G
1
G
Top View  
S
1
D
2
Ordering Information: Si4559ADY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si4559ADY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
N-Channel  
P-Channel  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
60  
- 60  
V
VGS  
20  
T
C = 25 °C  
TC = 70 °C  
A = 25 °C  
5.3  
4.3  
- 3.9  
- 3.2  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
4.3b, c  
- 3.0b, c  
T
3.4b, c  
- 2.4b, c  
TA = 70 °C  
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current (10 µs Pulse Width)  
Source Drain Current Diode Current  
20  
- 25  
A
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
2.6  
- 2.8  
1.7b, c  
20  
- 1.7b, c  
- 25  
ISM  
IAS  
Pulsed Source-Drain Current  
Single Pulse Avalanche Current  
Single Pulse Avalanche Energy  
11  
6.1  
3.1  
2
15  
11  
L = 0.1 mH  
EAS  
mJ  
W
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
3.4  
2.2  
PD  
Maximum Power Dissipation  
2b, c  
1.3b, c  
2b, c  
1.3b, c  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
N-Channel  
Typ. Max.  
55  
33  
P-Channel  
Parameter  
Symbol  
RthJA  
Unit  
Typ.  
Max.  
62.5  
37  
Maximum Junction-to-Ambientb, d  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
t ≤ 10 s  
62.5  
40  
53  
30  
°C/W  
RthJF  
Steady State  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. Maximum under Steady State conditions is 110 °C/W for N-Channel and P-Channel.  
Document Number: 73624  
S09-0393-Rev. B, 09-Mar-09  
www.vishay.com  
1
1234567...15

中文翻译

下载PDF

SI4559ADY-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI4559EY VISHAY

类似代替

 N-Channel 60-V (D-S), 175∑C MOSFET

与SI4559ADY-T1-GE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4559EY VISHAY

获取价格

 		N-Channel 60-V (D-S), 175∑C MOSFET
SI4559EY-E3 VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 60V, 0.055ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channe
SI4559EY-T1 VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 60V, 0.055ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channe
SI4559EY-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.055ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon,
SI4561DY-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel and P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
SI4561DY-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel and P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
SI4562DY VISHAY

获取价格

 		N- and P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI4562DY_06 VISHAY

获取价格

 		N- and P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI4562DY-T1 VISHAY

获取价格

 		Transistor
SI4562DY-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		N- and P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

与SI4559ADY-T1-GE3相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证