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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-254Z |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, S-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.84 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 12 A | 最大漏极电流 (ID)： | 12 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.415 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | S-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 48 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SHD2086F | SENSITRON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 800V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| SHD2088F | SENSITRON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1000V, 1.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| SHD2092S | SENSITRON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.092ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| SHD217302A | SENSITRON |
获取价格 |
HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL |
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| SHD217302A_09 | SENSITRON |
获取价格 |
HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL |
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| SHD2181 | SENSITRON |
获取价格 |
POWER MOSFETS |
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| SHD21810 | SENSITRON |
获取价格 |
POWER MOSFETS |
|
| SHD21810A | SENSITRON |
获取价格 |
POWER MOSFETS |
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| SHD21810AS | SENSITRON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| SHD21810B | SENSITRON |
获取价格 |
POWER MOSFETS |
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