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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-257Z |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.8 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 18 A | 最大漏源导通电阻： | 0.092 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-MSFM-P3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SHD217302A | SENSITRON |
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HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL |
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| SHD217302A_09 | SENSITRON |
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HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL |
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| SHD2181 | SENSITRON |
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POWER MOSFETS |
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| SHD21810 | SENSITRON |
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POWER MOSFETS |
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| SHD21810A | SENSITRON |
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POWER MOSFETS |
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| SHD21810AS | SENSITRON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| SHD21810B | SENSITRON |
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POWER MOSFETS |
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| SHD21810S | SENSITRON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| SHD2181A | SENSITRON |
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POWER MOSFETS |
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| SHD2181AS | SENSITRON |
获取价格 |
暂无描述 |
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