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SHD217302A

更新时间： 2024-11-12 04:04:51

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SENSITRON		/
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描述
HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL

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SHD217302A 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-XSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.8
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	14 A
最大漏极电流 (ID)：	14 A	最大漏源导通电阻：	0.16 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-XSSO-G2
JESD-609代码：	e0	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	96 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SHD217302A 数据手册

SENSITRON

SEMICONDUCTOR

SHD217302A

TECHNICAL DATA

DATA SHEET 317, REV -

HERMETIC POWER MOSFET

N-CHANNEL

FEATURES:

100 Volt, 0.16 Ohm, 14A MOSFET

Fast Switching

Low R_{DS (on)}

Equivalent to IRF130 Series

MAXIMUM RATINGS

ALL RATINGS ARE AT T_C= 25C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED.

RATING

GATE TO SOURCE VOLTAGE

SYMBOL

V_GS

MIN.

-55

TYP.

MAX.

+150

UNITS

Volts

Amps

I_D

ON-STATE DRAIN CURRENT

OPERATING AND STORAGE TEMPERATURE

@ T_C= 100C

T_OP/T_STG

P_D

R_thJC

Watts

TOTAL DEVICE DISSIPATION @ T_C= 25C

THERMAL RESISTANCE, JUNCTION TO CASE

1.3

C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN VOLTAGE

BV_DSS

V_DS(ON)

R_DS(ON)

100

Volts

V_GS= 0V, I_D= 1.0mA

DRAIN TO SOURCE ON-STATE VOLTAGE

V_GS= 10V, I_D= 10A

STATIC DRAIN TO SOURCE ON STATE RESISTANCE

V_GS= 10V, I_D= 20A

100

0.16

0.14

V_GS(th)

g_fs

2.0

4.6

2.8

7.0

4.0

Volts

GATE THRESHOLD VOLTAGE

FORWARD TRANSCONDUCTANCE

V_DS I_{D (ON)}X, R_{DS (ON)}Max., I_DS= 0.6 X I_D

V_DS= V_GS, I_D= 250mA

S(1/W)

ZERO GATE VOLTAGE DRAIN CURRENT

V_DS= Max. Rating, V_GS= 0V

V_DS= 0.8xMax. Rating, V_GS= 0V, T_J= 125C

I_DSS

I_GSS

250

1000

100

-100

GATE TO SOURCE LEAKAGE FORWARD

GATE TO SOURCE LEAKAGE REVERSE

TURN ON DELAY TIME

RISE TIME

TURN OFF DELAY TIME

FALL TIME

V_GS= 20V

V_GS= -20V

V_DD= 50V,

I_D= 7.0A,

R_G= 12W,

V_GS= 10V

t_d(ON)

t_r

t_d(OFF)

t_f

9.5

1.0

2.5

nsec

Volts

nsec

V_SD

DIODE FORWARD VOLTAGE

T_C= 25C, I_S= 14A,

V_GS= 0V

t_rr

250

REVERSE RECOVERY TIME

T_J= 25C,

I_f= 14A,

di_F/ds = 100A/msec,

V_GS= 0 V

INPUT CAPACITANCE

OUTPUT CAPACITANCE

C_iss

C_oss

C_rss

650

240

V_DS= 25 V

REVERSE TRANSFER CAPACITANCE

f = 1.0MHz

221 WEST INDUSTRY COURT DEER PARK, NY 11729-4681 PHONE (631) 586-7600 FAX (631) 242-9798

World Wide Web Site - http://www.sensitron.com E-mail Address - sales@sensitron.com

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