是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-CXSO-G2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.74 | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE | 最小漏源击穿电压: | 200 V |
最大漏极电流 (ID): | 11 A | 最大漏源导通电阻: | 0.5 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-CXSO-G2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | UNSPECIFIED |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SHD21810B | SENSITRON |
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POWER MOSFETS | |
SHD21810S | SENSITRON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta | |
SHD2181A | SENSITRON |
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POWER MOSFETS | |
SHD2181AS | SENSITRON |
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暂无描述 | |
SHD2181B | SENSITRON |
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POWER MOSFETS | |
SHD2181BS | SENSITRON |
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Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
SHD2181S | SENSITRON |
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暂无描述 | |
SHD2182 | SENSITRON |
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POWER MOSFETS | |
SHD2182A | SENSITRON |
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POWER MOSFETS | |
SHD2182AS | SENSITRON |
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Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |