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SGB15N60

更新时间： 2024-11-06 22:18:35

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管栅
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描述
Fast IGBT in NPT-technology

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SGB15N60 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.21	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	31 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	最大降落时间（tf）：	55 ns
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	138 W
认证状态：	Not Qualified	最大上升时间（tr）：	40 ns
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	315 ns
标称接通时间 (ton)：	54 ns	Base Number Matches：	1

SGB15N60 数据手册

SGP15N60, SGB15N60

SGW15N60

Fast IGBT in NPT-technology

• 75% lower E_offcompared to previous generation

combined with low conduction losses

• Short circuit withstand time – 10 µs

• Designed for:

- Motor controls

- Inverter

• NPT-Technology for 600V applications offers:

- very tight parameter distribution

- high ruggedness, temperature stable behaviour

- parallel switching capability

P-TO-220-3-1

(TO-220AB)

P-TO-263-3-2 (D²-PAK) P-TO-247-3-1

(TO-263AB)

(TO-247AC)

• Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

Type

V_CE

I_C

V_CE(sat)

T_j

Package

Ordering Code

SGP15N60

SGB15N60

SGW15N60

600V

15A

2.3V

TO-220AB

TO-263AB

TO-247AC

Q67040-S4508

Q67041-A4711

Q67040-S4235

150°C

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

DC collector current

T_C= 25°C

V_CE

I_C

600

T_C= 100°C

Pulsed collector current, t_plimited by T_jmax

I_{Cpul s}

Turn off safe operating area

V_CE≤ 600V, T_j≤ 150°C

Gate-emitter voltage

V_{G E}

E_AS

±20

Avalanche energy, single pulse

I_C= 15 A, V_CC= 50 V, R_GE= 25 Ω,

start at T_j= 25°C

Short circuit withstand time¹⁾

V_GE= 15V, V_CC≤ 600V, T_j≤ 150°C

Power dissipation

t_SC

139

µs

P_{t ot}

T_C= 25°C

Operating junction and storage temperature

T_j, T_stg

-55...+150

°C

¹⁾Allowed number of short circuits: <1000; time between short circuits: >1s.

Jul-02

12 3 4 5 6 7...12

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SGB15N60 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IGB20N60H3	INFINEON	类似代替	Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, GREEN, PL
IGB15N60T	INFINEON	类似代替	Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology
IGW60T120	INFINEON	功能相似	Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology

与SGB15N60相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SGB15N60_06	INFINEON	获取价格	Fast IGBT in NPT-technology
SGB15N60ATMA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, GREEN, PL
SGB15N60HS	INFINEON	获取价格	High Speed IGBT in NPT-technology
SGB15N60HS_06	INFINEON	获取价格	High Speed IGBT in NPT-technology
SGB15UF	SSDI	获取价格	60 mA 1000 - 3500 VOLTS 60 nsec HIGH VOLTAGE RECTIFIER
SGB15UFS	SSDI	获取价格	暂无描述
SGB15UFSMS	SSDI	获取价格	60 mAMPS 1000 - 3500 VOLTS 60 nsec HIGH VOLTAGE RECTIFIER
SGB15UFSMSS	SSDI	获取价格	60 mAMP 1000-3500 VOLTS 60 nsec HIGH VOLTAGE RECTIFIER
SGB15UFSMSTX	SSDI	获取价格	60 mAMP 1000-3500 VOLTS 60 nsec HIGH VOLTAGE RECTIFIER
SGB15UFSMSTXV	SSDI	获取价格	60 mAMP 1000-3500 VOLTS 60 nsec HIGH VOLTAGE RECTIFIER

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