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SGB20N60ATMA1

更新时间： 2024-09-18 15:51:07

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅瞄准线功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	790K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, D2PAK-3

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SGB20N60ATMA1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.2	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	40 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	313 ns	标称接通时间 (ton)：	66 ns
Base Number Matches：	1

SGB20N60ATMA1 数据手册

SGB20N60

Fast IGBT in NPT-technology

• 75% lower E_offcompared to previous generation

combined with low conduction losses

• Short circuit withstand time – 10 µs

• Designed for:

- Motor controls

- Inverter

• NPT-Technology for 600V applications offers:

- very tight parameter distribution

- high ruggedness, temperature stable behaviour

- parallel switching capability

PG-TO-263-3-2 (D²-PAK)

(TO-263AB)

• Qualified according to JEDEC¹for target applications

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

Type

V_CE

I_C

V_CE(sat)

T_j

Marking

Package

SGB20N60

600V

20A

2.4V

G20N60

PG-TO-263-3-2

150°C

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

DC collector current

T_C= 25°C

V_CE

I_C

600

T_C= 100°C

Pulsed collector current, t_plimited by T_jmax

Turn off safe operating area

I_{Cpul s}

V_CE≤ 600V, T_j≤ 150°C

Gate-emitter voltage

V_{G E}

E_AS

±20

115

Avalanche energy, single pulse

I_C= 20 A, V_CC= 50 V, R_GE= 25 Ω,

start at T_j= 25°C

Short circuit withstand time²

t_SC

µs

V_GE= 15V, V_CC≤ 600V, T_j≤ 150°C

Power dissipation

P_{t ot}

179

T_C= 25°C

Operating junction and storage temperature

Soldering temperature (reflow soldering, MSL1)

T_j, T_stg

-55...+150

245

°C

¹J-STD-020 and JESD-022

²Allowed number of short circuits: <1000; time between short circuits: >1s.

Rev. 2.2 Nov 06

12 3 4 5 6 7...11

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与SGB20N60ATMA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SGB20UF	SSDI	获取价格	60 mA 1000 - 3500 VOLTS 60 nsec HIGH VOLTAGE RECTIFIER
SGB20UFS	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.06A, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
SGB20UFSMS	SSDI	获取价格	60 mAMPS 1000 - 3500 VOLTS 60 nsec HIGH VOLTAGE RECTIFIER
SGB20UFSMSS	SSDI	获取价格	60 mAMP 1000-3500 VOLTS 60 nsec HIGH VOLTAGE RECTIFIER
SGB20UFSMSTX	SSDI	获取价格	60 mAMP 1000-3500 VOLTS 60 nsec HIGH VOLTAGE RECTIFIER
SGB20UFSMSTXV	SSDI	获取价格	60 mAMP 1000-3500 VOLTS 60 nsec HIGH VOLTAGE RECTIFIER
SGB20UFTX	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.06A, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
SGB20UFTXV	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.06A, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
SGB-2233	SIRENZA	获取价格	DC - 4.5 GHz Active Bias Gain Block
SGB-2233Z	SIRENZA	获取价格	DC - 4.5 GHz Active Bias Gain Block

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