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SGB15N60ATMA1

更新时间： 2024-09-18 20:07:59

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅瞄准线功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	791K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN

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SGB15N60ATMA1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.24	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	31 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	315 ns
标称接通时间 (ton)：	54 ns	Base Number Matches：	1

SGB15N60ATMA1 数据手册

SGB15N60

Fast IGBT in NPT-technology

• 75% lower E_offcompared to previous generation

combined with low conduction losses

• Short circuit withstand time – 10 µs

• Designed for:

- Motor controls

- Inverter

• NPT-Technology for 600V applications offers:

- very tight parameter distribution

- high ruggedness, temperature stable behaviour

- parallel switching capability

PG-TO-263-3-2

• Qualified according to JEDEC¹for target applications

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

Type

V_CE

I_C

V_CE(sat)

T_j

Marking

Package

SGB15N60

600V

15A

2.3V

G15N60 PG-TO-263-3-2

150°C

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

DC collector current

T_C= 25°C

V_CE

I_C

600

T_C= 100°C

Pulsed collector current, t_plimited by T_jmax

Turn off safe operating area

I_{Cpul s}

V_CE≤ 600V, T_j≤ 150°C

Gate-emitter voltage

V_{G E}

E_AS

±20

Avalanche energy, single pulse

I_C= 15 A, V_CC= 50 V, R_GE= 25 Ω,

start at T_j= 25°C

Short circuit withstand time²

t_SC

µs

V_GE= 15V, V_CC≤ 600V, T_j≤ 150°C

Power dissipation

P_{t ot}

139

T_C= 25°C

Operating junction and storage temperature

Soldering temperature (reflow soldering, MSL1)

T_j, T_stg

-55...+150

245

°C

¹J-STD-020 and JESD-022

²Allowed number of short circuits: <1000; time between short circuits: >1s.

Rev.2.3 Nov 06

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SGB15N60HS	INFINEON	获取价格	High Speed IGBT in NPT-technology
SGB15N60HS_06	INFINEON	获取价格	High Speed IGBT in NPT-technology
SGB15UF	SSDI	获取价格	60 mA 1000 - 3500 VOLTS 60 nsec HIGH VOLTAGE RECTIFIER
SGB15UFS	SSDI	获取价格	暂无描述
SGB15UFSMS	SSDI	获取价格	60 mAMPS 1000 - 3500 VOLTS 60 nsec HIGH VOLTAGE RECTIFIER
SGB15UFSMSS	SSDI	获取价格	60 mAMP 1000-3500 VOLTS 60 nsec HIGH VOLTAGE RECTIFIER
SGB15UFSMSTX	SSDI	获取价格	60 mAMP 1000-3500 VOLTS 60 nsec HIGH VOLTAGE RECTIFIER
SGB15UFSMSTXV	SSDI	获取价格	60 mAMP 1000-3500 VOLTS 60 nsec HIGH VOLTAGE RECTIFIER
SGB15UFTX	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.06A, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
SGB15UFTXV	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.06A, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2

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