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| 生命周期： | Active | 包装说明： | E-LELF-R2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.70 |
| 风险等级： | 5.69 | 其他特性： | METALLURGICALLY BONDED |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 9 V | JESD-30 代码： | E-LELF-R2 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 5 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最大输出电流： | 0.06 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ELLIPTICAL | 封装形式： | LONG FORM |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 2000 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.06 µs | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | WRAP AROUND |
| 端子位置： | END | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SGB20UFSMSS | SSDI |
获取价格 |
60 mAMP 1000-3500 VOLTS 60 nsec HIGH VOLTAGE RECTIFIER |
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| SGB20UFSMSTX | SSDI |
获取价格 |
60 mAMP 1000-3500 VOLTS 60 nsec HIGH VOLTAGE RECTIFIER |
|
| SGB20UFSMSTXV | SSDI |
获取价格 |
60 mAMP 1000-3500 VOLTS 60 nsec HIGH VOLTAGE RECTIFIER |
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| SGB20UFTX | SSDI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.06A, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
|
| SGB20UFTXV | SSDI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.06A, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
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| SGB-2233 | SIRENZA |
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DC - 4.5 GHz Active Bias Gain Block |
|
| SGB-2233Z | SIRENZA |
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DC - 4.5 GHz Active Bias Gain Block |
|
| SGB-2433 | SIRENZA |
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DC - 4 GHz Active Bias Gain Block |
|
| SGB-2433 | STANFORD |
获取价格 |
DC - 4 GHz Active Bias Gain Block |
|
| SGB-2433Z | SIRENZA |
获取价格 |
DC - 4 GHz Active Bias Gain Block |
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