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| 生命周期： | Active | 包装说明： | CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.67 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 40 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 70 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 56 A | 最大漏源导通电阻： | 0.01 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-CBCC-N3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 107 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 140 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SFF70N04S.5TX | SSDI |
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Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 40V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| SFF70N04S.5TXV | SSDI |
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Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 40V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| SFF70N10C | SSDI |
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70 AMP 600 VOLT 0.030 ohm N-Channel Power MOSFET |
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| SFF70N10M | SSDI |
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70 AMP 600 VOLT 0.030 ohm N-Channel Power MOSFET |
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| SFF70N10Z | SSDI |
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70 AMP 600 VOLT 0.030 ohm N-Channel Power MOSFET |
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| SFF70N70NDB | SSDI |
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Power Field-Effect Transistor |
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| SFF70N70NUB | SSDI |
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Power Field-Effect Transistor |
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| SFF70N70PDB | SSDI |
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Power Field-Effect Transistor |
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| SFF70N70S2 | SSDI |
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Power Field-Effect Transistor |
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| SFF70N70S2DB | SSDI |
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Power Field-Effect Transistor |
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