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SFF70N70S2DB

更新时间： 2024-09-26 20:44:43

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SSDI		开关脉冲晶体管
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3页	168K
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Power Field-Effect Transistor

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SFF70N70S2DB 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	CHIP CARRIER, R-XBCC-N3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.63
雪崩能效等级（Eas）：	2000 mJ	外壳连接：	SOURCE
配置：	Single	最小漏源击穿电压：	700 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	70 A	最大漏极电流 (ID)：	70 A
最大漏源导通电阻：	0.05 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-XBCC-N3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	500 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	220 A
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	340 ns
最大开启时间（吨）：	140 ns	Base Number Matches：	1

SFF70N70S2DB 数据手册

SFF55N70 - SFF70N70

Solid State Devices, Inc.

Series

14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638

Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773

ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com

DESIGNER’S DATA SHEET

Part Number / Ordering Information ^1/

55 - 70 AMP , 700 Volts, 50 mΩ

Avalanche Rated N-Channel

MOSFET

SFF70N70 ___ ___ ___

Screening ^2/

__ = Not Screened

TX = TX Level

TXV = TXV Level

S = S Level

│

└

│

└

Features:



Rugged poly-Si gate

Lowest ON-resistance in the industry

Avalanche rated

Hermetically sealed, isolated package

Low total gate charge

Fast switching

Lead Option ^3/

__ = Straight Leads

DB = Down Bend

UB = Up Bend

Package ^{3/ 4/}

N = TO-258

P = TO-259

S2 = SMD2

TX, TXV, S-level screening available

Improved (R_DS(ON)Q_G) figure of merit

Maximum Ratings^5/

Symbol

V_DSS

Value

Units

Drain - Source Voltage

700

±20

±30

continuous

transient

Gate – Source Voltage

V_GS

Continuous Drain Current (T_OPlimited)

@ T_C= 25°C

N, P

I_D1

I_D2

Continuous Drain Current (T_OPlimited)

@ T_C= 100°C

I_D3

Pulsed Drain Current (P_width/T_OPlimited)

@ T_C= 25°C

I_D4

220

E_AS

E_AR

2000

Single and Repetitive Avalanche Energy

@ L= 0.1 mH

500

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

P_D

Operating & Storage Temperature

-55 to +150

°C

_OP& T_STG

Maximum Thermal Resistance

(Junction to Case)

R_θJC

0.25

°C/W

NOTES:

SMD2 (S2)

TO-258 (N)

TO-259 (P)

*Pulse Test: Pulse Width = 300µsec, Duty Cycle = 2%.

1/ For ordering information, price, and availability - contact

factory.

2/ Screening based on MIL-PRF-19500. Screening flows

available on request.

3/ For lead bending options / pinout configurations - contact

factory.

4/ Maximum current limited by package configuration

5/ Unless otherwise specified, all electrical characteristics

@25^oC.

6/ Package limited.

NOTE: All specifications are subject to change without notification.

SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

DATA SHEET #: FT0061C

DOC

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SFF70N70S2UBTXV	SSDI	获取价格	Power Field-Effect Transistor
SFF730	WINSEMI	获取价格	Silicon N-Channel MOSFET
SFF740	WINSEMI	获取价格	Silicon N-Channel MOSFET
SFF75N05M	SSDI	获取价格	75 AMP 50 VOLTS 15mohm N-Channel Power MOSFET
SFF75N05Z	SSDI	获取价格	75 AMP 50 VOLTS 15mohm N-Channel Power MOSFET
SFF75N06-28	SSDI	获取价格	30 AMP 60 VOLTS 25mヘ N-CHANNEL POWER MOSFET
SFF75N06M	SSDI	获取价格	75 AMP 60 VOLTS 15m OHM N-Channel Power MOSFET
SFF75N06Z	SSDI	获取价格	75 AMP 60 VOLTS 15m OHM N-Channel Power MOSFET
SFF75N08M	SSDI	获取价格	55 AMP (note 1) /75 Volts 8.5 mO N-Channel Trench Gate MOSFET
SFF75N08Z	SSDI	获取价格	55 AMP (note 1) /75 Volts 8.5 mO N-Channel Trench Gate MOSFET

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