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SFF70N70NDB

更新时间： 2024-11-12 20:00:55

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SSDI		局域网开关脉冲晶体管
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3页	160K
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Power Field-Effect Transistor

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SFF70N70NDB 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XSFM-P3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.63
雪崩能效等级（Eas）：	2000 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	Single	最小漏源击穿电压：	700 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	55 A	最大漏极电流 (ID)：	55 A
最大漏源导通电阻：	0.05 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-258AA	JESD-30 代码：	R-XSFM-P3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	500 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	220 A	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	340 ns	最大开启时间（吨）：	140 ns
Base Number Matches：	1

SFF70N70NDB 数据手册

SFF70N70 Series

Solid State Devices, Inc.

14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638

Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773

ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com

70 AMP , 700 Volts, 50 mΩ

Avalanche Rated N-channel

MOSFET

DESIGNER’S DATA SHEET

Part Number / Ordering Information ^1/

SFF70N70 ___ ___ ___

Screening ^2/

__ = Not Screened

TX = TX Level

TXV = TXV Level

S = S Level

│

└

│

└

Features:



Rugged poly-Si gate

Lead Option ^3/

__ = Straight Leads

DB = Down Bend

UB = Up Bend

Lowest ON-resistance in the industry

Avalanche rated

Hermetically Sealed, Isolated Package

Low Total Gate Charge

Fast Switching

TX, TXV, S-Level screening available

Package ^{3/ 4/}

N = TO-258

P = TO-259

S2 = SMD2

Improved (R_DS(ON)Q_G) figure of merit

Maximum Ratings^5/

Symbol

V_DSS

Value

Units

Drain - Source Voltage

700

±20

±30

continuous

transient

Gate – Source Voltage

V_GS

I_D1

Max. Continuous Drain Current (package

limited)

@ T_C= 25°C

@ T_C= 100°C

I_D2

I_D3

Max. Instantaneous Drain Current (Tj limited)

Single and Repetitive Avalanche Energy

E_AS

E_AR

2000

@ L= 0.1 mH

@ T_C= 25°C

Total Power Dissipation

250

P_D

Operating & Storage Temperature

-55 to +150

°C

T_OP& T_STG

Maximum Thermal Resistance

(Junction to Case)

N, P

0.5

0.25

R_θJC

°C/W

NOTES:

SMD2 (S2)

TO-258 (N)

TO-259 (P)

*Pulse Test: Pulse Width = 300µsec, Duty Cycle = 2%.

1/ For ordering information, price, and availability - contact

factory.

2/ Screening based on MIL-PRF-19500. Screening flows

available on request.

3/ For lead bending options / pinout configurations - contact

factory.

4/ Maximum current limited by package configuration

5/ Unless otherwise specified, all electrical characteristics

@25^oC.

NOTE: All specifications are subject to change without notification.

SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

DATA SHEET #: FT0061A

DOC

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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SFF70N70S2	SSDI	获取价格	Power Field-Effect Transistor
SFF70N70S2DB	SSDI	获取价格	Power Field-Effect Transistor
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