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| 生命周期： | Active | 包装说明： | HERMETIC SEALED, MILPACK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.65 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 75 A | 最大漏极电流 (ID)： | 75 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.03 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-CBCC-N3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Powers |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SFF75N10B_1 | SSDI |
获取价格 |
Avalanche Rated N-channel MOSFET |
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| SFF75N10M | SSDI |
获取价格 |
75 AMP 100 VOLTS 0.025 OHM N-Channel POWER MOSFET |
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| SFF75N10MD | SSDI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SFF75N10MDB | SSDI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 100V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SFF75N10MTX | SSDI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 100V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SFF75N10MTXV | SSDI |
获取价格 |
暂无描述 |
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| SFF75N10MU | SSDI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SFF75N10MUBS | SSDI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 100V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SFF75N10MUBTX | SSDI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 100V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SFF75N10MUBTXV | SSDI |
获取价格 |
暂无描述 |
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