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SFF70N10C

更新时间： 2024-09-26 03:32:35

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描述
70 AMP 600 VOLT 0.030 ohm N-Channel Power MOSFET

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SFF70N10C 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-254
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.67	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	56 A
最大漏源导通电阻：	0.03 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-254	JESD-30 代码：	R-CSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SFF70N10C 数据手册

SFF70N10C

SOLID STATE DEVICES, INC.

14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638

Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773

70 AMP

600 VOLT

0.030Ω

DESIGNER'S DATA SHEET

N-CHANNEL

FEATURES:

• Rugged construction with poly silicon gate

• Ultra low RDS (on) and high transconductance

• Excellent high temperature stability

• Very fast switching speed

POWER MOSFET

TO-254 Ceramic

• Fast recovery and superior dv/dt performance

• Increased reverse energy capability

• Low input and transfer capacitance for easy paralleling

• Hermetically sealed package

• TX, TXV and Space Level screening available

• Replaces: SMM70N10 Types

MAXIMUM RATINGS

CHARACTERISTIC

SYMBOL

VALUE

100

UNIT

Volts

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

+ 20

56^1/

Volts

Amps

Continuous Drain Current

^oC

Operating and Storage Temperature

-55 to +150

.83

stg

^oC/W

Watts

Thermal Resistance, Junction to Case

0JC

@ TC = 25^oC

Total Device Dissipation

150

114

@ TC = 55^oC

CASE OUTLINE: TO-254 Ceramic

Pin Out:

Pin 1: Drain

Pin 2: Source

Pin 3: Gate

NOTE: All specifications are subject to change without notification.

SCDs for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

DATA SHEET #: F00245B

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