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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-254 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 50 V | 最大漏极电流 (ID)： | 60 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.033 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-254 | JESD-30 代码： | S-XSFM-P3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500 | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SFF60P05M_1 | SSDI |
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P-Channel POWER MOSFET |
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| SFF60P05MTX | SSDI |
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暂无描述 |
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| SFF60P05MTXV | SSDI |
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暂无描述 |
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| SFF60P05MUBTX | SSDI |
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Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 50V, 0.033ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| SFF60P05Z | SSDI |
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-60 AMP/-50 Volts 33 mW P-Channel POWER MOSFET |
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| SFF60P05ZTX | SSDI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 50V, 0.033ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| SFF60P05ZUB | SSDI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 50V, 0.033ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| SFF60P05ZUBS | SSDI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 50V, 0.033ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| SFF6661/39 | SSDI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.86A I(D), 90V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| SFF6661/39S | SSDI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.86A I(D), 90V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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